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赤崎勇
研究者 来自维基百科，自由的百科全书
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赤崎勇（日语：赤﨑 勇／あかさき いさむ Akasaki Isamu ?，1929年1月30日—2021年4月1日），日本化學工程學家，名古屋大學工學博士。曾任松下電器研究員、名城大學終身教授、名古屋大學特別教授及名譽教授。美國國家工程院外籍院士。IEEE Fellow。紫綬褒章、文化勲章、勳三等旭日中綬章表彰。文化功勞者。
赤崎教授於2014年凭借「發明高亮度藍色發光二極管，帶來了節能明亮的白色光源」与天野浩、中村修二共同获得諾貝爾物理學獎[1]，他也是繼羅伯特·密立根之後，史上第2位兼有諾貝爾獎暨IEEE愛迪生獎章榮譽的科學家。
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早年生活與教育
1929年1月30日，赤崎勇出生於日本鹿兒島縣，幼時曾有躲避美軍戰機的經歷，終身反戰。1952年京都大學理學部畢業，1964年獲得工學博士（名古屋大學）學位。其後曾服務於神戶工業（現电装天）、名古屋大學、松下電器等單位。
研究
在1960年代末，他开始工作于氮化鎵（GaN）基蓝光LED。一步一步，他改进的GaN晶体质量和器件结构[3]，在松下研究所东京公司（MRIT）那里，他决定采用有机金属化学气相沉积法作为首选的GaN生长方法。
1986年，赤崎勇以低溫沉積（AlN）氮化鋁緩衝層技術成功生產高品質的GaN晶體。1989年，他與門生天野浩完成p型GaN的結晶化，首次觀測到p型材料的劇烈發光，並以GaN的pn構成完成了藍色發光二極管。同一時期，赤崎的學生也包括日後的中國知名企業家唐駿[4]。
1990年，赤崎師徒完成室溫下紫外線暴露GaN的誘導放射。基於上述的各階段突破，1992年，他們發明了人類史上第一個高亮度藍色發光二極體。1995年，進一步完成注入量子多重化電流的GaN/GalnN誘導放射。自此開始，赤崎勇就一直是熱門的諾貝爾獎候選人之一[5][6]。在2009年至2014年的名古屋大學官方簡介中，赤崎一直與另外4位名大的諾貝爾獎得主（野依、小林、益川、下村）並列。
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名古屋大学赤崎纪念研究馆
赤崎教授的发明产生了专利，专利被奖励特许权使用费，其中一部份用於建立2006年10月20日開設的「名古屋大学赤崎纪念研究馆」（Nagoya University Akasaki Institute）[7] 。研究館建有一个展示藍光LED研究/开发和应用的历史的LED画廊，一个科研合作办公室，一个创新研究实验室，和赤崎教授的顶部六楼的办公室。该研究馆坐落在名古屋大学东山校区合作研究区域的中心。
2014年諾貝爾獎
赤崎勇與天野浩、中村修二於2014年10月7日獲得諾貝爾物理學獎。翌日赤崎與江崎玲於奈（1973年諾貝爾物理學獎得主）進行電話會談，他們討論了彼此發明的社會影響力，也提到「日本人特有的毅力」是成功的重要原因[8]。
赤崎是首位九州出身的日本人諾貝爾獎得主[9]，亦締造若干國內紀錄，包括首次師徒同時獲獎（與天野浩）；獲獎年齡第二高（85歲，僅次於南部陽一郎的87歲）；最高齡出席頒獎典禮。
獲獎紀錄
- 1989年 日本結晶成長学会論文賞
- 1991年 中日文化獎[11]
- 1994年 光電子學會議特別獎
- 1994年 日本結晶成長學會創立20周年記念技術貢獻獎
- 1995年 化合物半導體國際研討會獎
- 1995年 Heinrich Welker Gold Medal
- 1996年 IEEE Lasers and Electro-Optics Society's Engineering Achievement Award
- 1998年 井上春成獎
- 1998年 C&C獎
- 1998年 Laudise Prize
- 1998年 應用物理學會會誌獎
- 1998年 IEEE Jack A. Morton Award
- 1998年 British Rank Prize
- 1999年 Solid State Science and Technology Award
- 2000年 朝日獎[12]
- 2000年 東麗科学技術獎
- 2002年 應用物理學會業績獎
- 2002年 武田獎
- 2002年 藤原獎
- 2003年 日本學術會議会長賞
- 2003年 SSDM Award
- 2009年 京都獎（尖端技術部門）
- 2011年 IEEE愛迪生獎章[13]
- 2011年 科學技術振興機構知識財產特別貢獻獎
- 2014年 日本學士院獎・恩賜獎
- 2014年 諾貝爾物理學獎[14]
- 2014年 南九州市榮譽市民
- 2015年 查爾斯·斯塔克·德雷珀獎
- 2016年 UNESCO獎章
- 2021年 Queen Elizabeth Prize for Engineering
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榮銜
著作
- 電気・電子材料（1985年9月、朝倉書店）
- III-V族化合物半導体（1994年5月、培風館）
- 青色発光デバイスの魅力―広汎な応用分野を開く（1997年4月、工業調査会）
- III族窒化物半導体（1999年12月、培風館）
有關紀念
參見
參考資料
外部連結
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