Procédé de Lely
De Wikipedia, l'encyclopédie encyclopedia
Le procédé de Lely est une technologie de croissance cristalline utilisée pour produire des cristaux de carbure de silicium pour l'industrie des semi-conducteurs. Le brevet de ce procédé a été déposé aux Pays-Bas en 1954 puis aux États-Unis en 1955 par Jan Anthony Lely de Philips Electronics[1]. Le brevet a ensuite été délivré le et a été amélioré par le Dr. Hamilton et al. en 1960, et par V. P. Novikov et V. I. Ionov en 1968. [2]