HMOS

HMOS bezeichnet eine Halbleitertechnik-Generation und ist ein Akronym für das englische high-performance MOS (engl. für Metall-Oxid-Halbleiter). HMOS findet in integrierten Schaltkreisen hoher Packungsdichte mit NMOS-Logik Anwendung. Zuvor waren Strukturgrößen von 6 µm bis 10 µm etabliert. Andere Halbleitertechnologien sind unter den Bezeichnungen HCMOS, PMOS und den heute überwiegend eingesetzten CMOS bekannt.^[1]

HMOS-Generationen (Quelle: ^[2])

Generation	Einführung	Kanallänge	Gatterverzögerung
HMOS I	1976	≈ 3 µm	100 ns
HMOS II	1979	≈ 2 µm	30 ns
HMOS III	1982	≈ 1,5 µm	10 ns

Literatur

• K. Yu, R.J.C. Chwang, M.T. Bohr, P.A. Warkentin, S. Stern, C.N. Berglund: HMOS-CMOS-a low-power high-performance technology. In: IEEE Journal of Solid-State Circuits. Band 16, Nr. 5, Oktober 1981, S. 454–459, doi:10.1109/JSSC.1981.1051622.