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Aluminato de lantano
compuesto químico De Wikipedia, la enciclopedia libre
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El aluminato de lantano es un compuesto inorgánico de fórmula LaAlO3, a menudo abreviado como LAO. Es un óxido cerámico ópticamente transparente con una estructura de perovskita distorsionada.
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Propiedades
El LaAlO3 cristalino tiene una constante dieléctrica relativa relativamente alta de ~25. La estructura cristalina del LAO es una perovskita distorsionada romboédrica con un parámetro de red pseudocúbico de 3,787 angstroms a temperatura ambiente[2] (aunque una fuente afirma que el parámetro de red es de 3,82).[3] Las superficies pulidas de un solo cristal de LAO muestran defectos gemelos visibles a simple vista.
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Películas delgadas epitaxiales
Las películas delgadas de LAO cultivadas epitaxialmente pueden servir para diversos fines en heteroestructuras y dispositivos de electrones correlacionados. El LAO se utiliza a veces como aislante epitaxial entre dos capas conductoras. Las películas epitaxiales de LAO pueden crecer por varios métodos, más comúnmente por deposición láser pulsada (PLD) y epitaxia de haz molecular (MBE).
Interfaces LAO-STO
Artículo principal: Interfaz aluminato de lantano-titanato de estroncio
El uso más importante y común del LAO epitaxial es en la interfaz titanato de lantano aluminato-estroncio. En 2004, se descubrió que cuando 4 o más células unitarias de LAO crecen epitaxialmente sobre titanato de estroncio (SrTiO3, STO), se forma una capa conductora bidimensional en su interfaz .[4] Individualmente, LaAlO3 y SrTiO3 son aislantes no magnéticos, pero las interfaces LaAlO3/SrTiO3 presentan conductividad eléctrica,[4]superconductividad,[5]ferromagnetismo,[6] gran magnetorresistencia negativa en el plano,[7]y fotoconductividad persistente gigante.[8] El estudio de cómo surgen estas propiedades en la interfaz LaAlO3/SrTiO3 es un área de investigación creciente en la física de la materia condensada.
Sustratos
Los monocristales de aluminato de lantano están disponibles comercialmente como sustrato para el crecimiento epitaxial de perovskitas,[9][10] y en particular para superconductores de cupratos.
Películas finas no epitaxiales
Las películas finas de aluminato de lantano se consideraron materiales candidatos para dieléctricos de alta k a principios y mediados de la década de 2000. A pesar de su atractiva constante dieléctrica relativa de ~25, no eran suficientemente estables en contacto con el silicio a las temperaturas pertinentes (~1000 °C).[11]
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Referencias
Enlaces externos
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