Fosfuro de indio

El fosfuro de indio (InP) es un compuesto formado por fósforo e indio. Es un material semiconductor similar al arseniuro de galio.

Fosfuro de indio
General
Otros nombres	fosfuro de indio (III)
Fórmula molecular	InP
Identificadores
Número CAS	22398-80-7[1]
InChI InChI=InChI=1S/In.P Key: GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N
Propiedades físicas
Densidad	4810 kg/m³; 4,81 g/cm³
Masa molar	145,792 g/mol
Punto de fusión	1062 °C (1335 K)
Estructura cristalina	cúbico
Índice de refracción (nD)	3.1 (infrarrojo)
Conductividad térmica	0.68
Banda prohibida	1.344 eV
Valores en el SI y en condiciones estándar (25 ℃ y 1 atm), salvo que se indique lo contrario.
[editar datos en Wikidata]

Propiedades

El compuesto posee una estructura cristalina cúbica de cristales negros, ligeramente verdes.

El InP tiene una banda prohibida directa, además de una alta velocidad de deriva, mayor que las del silicio o germanio.^[2]

Aplicaciones

Sus propiedades de banda prohibida y alta velocidad electrónica lo hacen adecuado para construir dispositivos optoelectrónicos de alta velocidad como diodos laser, pero debido a dificultades en su utilización, actualmente solo se utiliza como substrato, para el arseniuro de indio-galio, ya que su Estructura cristalina tiene el mismo tamaño que este, 5,87 ángstroms^[3]