گالیم آرسنید
From Wikipedia, the free encyclopedia
گالیم آرسنید (GaAs) یک ترکیب از عناصر گالیم و آرسنیک است. این ترکیب یک نیمرسانا بوده و ساختار بلوری آن مشابه سولفید روی است.
این مقاله نیازمند ویکیسازی است. لطفاً با توجه به راهنمای ویرایش و شیوهنامه، محتوای آن را بهبود بخشید. |
این مقاله نیازمند تمیزکاری است. لطفاً تا جای امکان آنرا از نظر املا، انشا، چیدمان و درستی بهتر کنید، سپس این برچسب را بردارید. محتویات این مقاله ممکن است غیر قابل اعتماد و نادرست یا جانبدارانه باشد یا قوانین حقوق پدیدآورندگان را نقض کرده باشد. |
اطلاعات اجمالی گالیم آرسنید, شناساگرها ...
گالیم آرسنید | |
---|---|
Gallium arsenide | |
شناساگرها | |
شماره ثبت سیایاس | ۱۳۰۳-۰۰-۰ Y |
پابکم | ۱۴۷۷۰ |
کماسپایدر | ۱۴۰۸۷ Y |
شمارهٔ ئیسی | 215-114-8 |
شمارهٔ یواِن | 1557 |
MeSH | gallium+arsenide |
شمارهٔ آرتیئیسیاس | LW8800000 |
جیمول-تصاویر سه بعدی | Image 1 |
| |
| |
خصوصیات | |
فرمول مولکولی | GaAs |
جرم مولی | 144.645 g/mol |
شکل ظاهری | Very dark red vitreous crystals |
بوی | garlic-like when moistened |
چگالی | 5.3176 g/cm3 |
دمای ذوب | ۱٬۲۳۸ درجه سلسیوس (۲٬۲۶۰ درجه فارنهایت؛ ۱٬۵۱۱ کلوین) |
انحلالپذیری در آب | insoluble |
انحلالپذیری | soluble in HCL insoluble in ethanol methanol acetone |
نوار ممنوعه | 1.424 eV (at 300 K) |
تحرکپذیری | 8500 cm2/(V·s) (at 300 K) |
رسانندگی گرمایی | 0.55 W/(cm·K) (at 300 K) |
ضریب شکست (nD) | 3.8[1] |
ساختار | |
ساختار بلوری | Zinc blende |
گروه فضایی | T2d-F-43m |
ثابت شبکه | a = 565.35 pm |
Tetrahedral | |
شکل مولکولی | Linear |
خطرات | |
GHS pictograms | |
سیستم هماهنگ جهانی طبقهبندی و برچسبگذاری مواد شیمیایی | DANGER |
GHS hazard statements | H301, H331, H410 |
GHS precautionary statements | P261, P273, P301+310, P311, P501 |
لوزی آتش | |
به استثنای جایی که اشاره شدهاست در غیر این صورت، دادهها برای مواد به وضعیت استانداردشان داده شدهاند (در 25 °C (۷۷ °F)، ۱۰۰ kPa) | |
N (بررسی) (چیست: Y/N؟) | |
Infobox references | |
|
بستن
گالیم آرسنید در تولید افزارههایی مانند مایکروویو ،دیودهای نورگسیلفروسرخ، دیودهای لیزری و سلولهای خورشیدی استفاده میشود.
گالیم آرسنید اغلب به عنوان یک ماده بستر برای رشد رونشستی (epitaxial growth) در دیگر نیمرساناهای III-V semiconductors شامل ایندیم گالیم آرسناید(indium gallium arsenide)، آلومینیوم گالیم آرسناید (aluminum gallium arsenide) و بقیه استفاده میشود.