High Bandwidth Memory
From Wikipedia, the free encyclopedia
Remove ads
High Bandwidth Memory (HBM) on JEDECin standardoima DRAM-muistityyppi.[1] Muistityypin ovat kehittäneet AMD ja Hynix.[2] Perinteisissä muistityypeissä RAM-piirit ovat vierekkäin piirilevyllä kun taas HBM-muisti pinoaa piirit toistensa päälle.[3]
Muistityyppi on käytössä muun muassa AMD:n ja Nvidian grafiikkasuorittimien kanssa näytönohjaimissa.
Standardin uudempi versio (HBM2) on hyväksytty vuonna 2016.[4]
Kolmannen sukupolven versio (HBM3) on julkaistu tammikuussa 2022.[5] HBM3:n kehittämisessä on tavoiteltu parempaa tiheyttä, kaistanleveyttä ja energiatehokkuutta sekä halvempaa valmistusta.[3] Uusi standardi tuplaa riippumattomien kanavien määrän HBM2:n kahdeksasta 16:een ja kahdella pseudo-kanavalla kanavaa kohden HBM3 tukee 32 kanavaa.[5] HBM3 sisältää tuen virheenkorjauskoodille sekä virheen ilmoittamiselle.[5]
Remove ads
Tekniikka
Muistityyppi hyödyntää DRAM-piirien pinoamista piirin pinta-alan kasvattamisen sijaan.[2] Pinoaminen pienentää tarvittavaa pinta-alaa.[3] Muistipiirit ja suoritinpiiri yhdistetään samaksi komponentiksi ilman tarvetta piirilevyllä olevia johtimia tai siirtolinjoja.[2]
HBM2 tukee kahden, neljän tai kahdeksan DRAM-piirin pinoja.[4] Kommunikointi piiripinon läpi tapahtuu ”Through-Silicon Vias” (TSV) -tekniikalla.[4] HBM3 tukee 4, 8 ja 12 piirin pinoja ja sisältää mahdollisuuden myöhemmälle laajennukselle 16 piirin pinolle.[5]
HBM-tekniikka tuo muistit mahdollisimman lähelle niitä käyttävää suoritinta ja mahdollistaa leveämmän muistiväylän kuin piirilevylle on mahdollista toteuttaa.[6] Muistiväylän leveyttä kasvattamalla kellotaajuuden sijaan kaistanleveyttä voidaan kasvattaa vähemmällä virrankulutuksella.[7] Muistiväylä voi olla 4096-bittinen.[6]
Remove ads
Lähteet
Wikiwand - on
Seamless Wikipedia browsing. On steroids.
Remove ads