Gravure ionique réactive profonde
De Wikipedia, l'encyclopédie encyclopedia
La gravure ionique réactive profonde (en anglais Deep Reactive Ion Etching DRIE)[1] est un procédé de gravure ionique réactive fortement anisotrope utilisé en micro-électronique[2]. Il sert à créer des trous et des tranchées profondes dans des wafers avec un rapport largeur/hauteur de 20/1 ou plus. Cette technique a été développée pour les microsystèmes électromécaniques (MEMS) qui nécessitent ce type de fonctionnalités mais est aussi utilisée pour creuser des tranchées pour les condensateurs à haute densité de la DRAM ainsi pour développer les TSV (Through Silicon Via) dans le cadre de l'intégration tridimensionnelle. Il existe de nombreuses méthodes pour la gravure des motifs à fort facteur d'aspect, le plus utilisé d'entre eux étant les procédés Bosch et cryogénique..
Cet article est une ébauche concernant la microélectronique.
Vous pouvez partager vos connaissances en l’améliorant (comment ?) selon les recommandations des projets correspondants.
Le procédé de gravure classique par diffusion thermique conduit à un profil de concentration en atomes dopants qui diminue progressivement depuis la surface. Or la réalisation de jonctions PN impose au contraire l’obtention de jonctions abruptes. En d’autres termes, cela impose un passage brutal d'une zone à concentration homogène en dopant de type P à une zone homogène en concentration de dopant N. Pour tenter d'homogénéiser la zone diffusée, on pratique un traitement thermique après arrêt du processus de diffusion. Mais cela n'est pas toujours suffisant pour obtenir une jonction très abrupte. Ainsi, on procède parfois à l'implantation directe en profondeur d'atomes ionisés à l'aide d'un implanteur ionique. Il est ainsi possible d'obtenir dans une tranche de silicium, des zones parfaitement localisées où des jonctions sont abruptes, ainsi que des zones sur-dopées de propriétés résistives particulières[3].
Les deux principales techniques de DRIE à haut taux sont cryogénique et Bosch[4],[5],[6]. Les deux procédés permettent de fabriquer des flancs parfaitement verticaux mais souvent les flancs sont légèrement évasés, par exemple à 88° ou 92° : on parle alors de parois « rétrograde ». Il existe un autre mécanisme appelé passivation des parois : des groupes fonctionnels SiOxFy, produit à partir d'hexafluorure de soufre et d'oxygène gazeux, condensent sur les parois latérales et les protègent de la gravure. En combinant tous ces procédés, on peut alors réaliser des structures verticales profondes.