Nitrure de gallium-indium
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Le Nitrure de gallium-indium (InGaN, InxGa1-xN) est un semi-conducteur III-V composé de nitrure de gallium (GaN) et de nitrure d'indium (InN).
Faits en bref Identification, Nom UICPA ...
Nitrure de gallium-indium | |
__ Ga3+/In3+ __ N3- | |
Identification | |
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Nom UICPA | Nitrure de gallium-indium |
Propriétés chimiques | |
Formule | InxGa1-xN |
Propriétés électroniques | |
Bande interdite | 3,4 eV (x = 0) à 0,67 eV (x = 1) |
Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |
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C'est un composé à gap direct, dont la bande interdite peut varier théoriquement entre 0,67 et 3,4 eV, en fonction du ratio In/Ga. Ce ratio ne varie cependant en pratique qu'entre 0,02/0,98 et 0,3/0,7[1].