中村修二
日本の工学博士 (1954-) / ウィキペディア フリーな encyclopedia
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中村 修二(なかむら しゅうじ、英語: Shuji Nakamura、1954年(昭和29年)5月22日[1][2][3] - )は、電子工学を専門とする技術者、研究者。学位は、博士(工学)(徳島大学)[12]。日亜化学時代の1993年に世界に先駆けて実用的な高輝度青色発光ダイオードを開発し[13][14]、その発明により赤﨑勇・天野浩とともに2014年のノーベル物理学賞を受賞した[15][16][注釈 2]。日亜化学との訴訟[注釈 3]でも注目を集めた[17][18][19]。2005年までは日本国籍であったが、その後アメリカ国籍を取得している[5][6][注釈 1]。
概要 人物情報, 生誕 ...
人物情報 | |
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生誕 |
(1954-05-22) 1954年5月22日(69歳)[1][2][3] 日本愛媛県西宇和郡四ツ浜村字大久(おおく)[4] |
居住 | アメリカ合衆国カリフォルニア州 |
国籍 |
アメリカ合衆国[5][6][7][注釈 1] ※2005年までは日本国籍 |
出身校 | 徳島大学 |
学問 | |
研究分野 | 電子工学、半導体工学 |
研究機関 |
日亜化学工業 フロリダ大学 カリフォルニア大学サンタバーバラ校 株式会社SORAA |
指導教員 | 多田修(徳島大学)[8] |
学位 | 博士(工学)(徳島大学) |
主な業績 |
高輝度青色発光ダイオードの発明、実用。 中村裁判・404特許 ERATO中村不均一結晶プロジェクト 無極性青紫半導体レーザー |
影響を受けた人物 |
福井萬壽夫(徳島大学)[9] 小川信雄(日亜化学工業)[10] |
影響を与えた人物 | 岡本研正(香川大学)[11] |
主な受賞歴 |
仁科記念賞(1996年) 大河内記念賞(1997年) ミレニアム技術賞(2006年) アストゥリアス皇太子賞学術・技術研究部門(2008年) ハーヴェイ賞(2009年) 第63回エミー賞技術開発部門(2011年) ノーベル物理学賞(2014年) チャールズ・スターク・ドレイパー賞(2015年) |
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日亜化学工業開発部主幹研究員[20]、同社 窒化物半導体研究所 所長[21][22]を経て、2000年よりカリフォルニア大学サンタバーバラ校(UCSB)教授[14][23][24]。科学技術振興機構のERATO中村不均一結晶プロジェクトの研究統括を務めるとともに[25][26]、大学発ベンチャー「SORAA」も立ち上げた[27]。中村を中心としたUCSBの研究グループは、2007年に世界初の無極性青紫半導体レーザーを実現した[28]。2014年文化功労者、文化勲章受章[29]。2017年、日本工業大学特別栄誉教授[30]。