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금속-질화물-산화물-반도체 트랜지스터
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금속-질화물-산화물-반도체(영어: metal–nitride–oxide–semiconductor) 또는 금속-질화물-산화물-실리콘(metal–nitride–oxide–silicon, MNOS) 트랜지스터는 MOSFET(금속-산화물-반도체 전계효과 트랜지스터)의 일종으로, 산화물 층이 질화물과 산화물의 이중층으로 대체된 것이다.[1] 이는 기존 표준 MOS 기술의 대안이자 보완책으로, 질화물-산화물 층이 절연체로 사용된다.[2][3] 이는 비휘발성 컴퓨터 메모리에 사용된다.[4]
역사
최초의 이산화 규소 트랜지스터는 1957년 벨 연구소에서 프로쉬와 데릭이 개발했다.[5]
1967년 말, H.A. 리처드 웨게너가 이끄는 스페리 연구팀은 금속-질화물-산화물-반도체(MNOS) 트랜지스터를 발명했는데,[6] 이는 산화물 층이 질화물과 산화물의 이중층으로 대체된 MOSFET의 일종이다.[1] 질화물은 부동 게이트 대신 트랩 층으로 사용되었지만, 부동 게이트보다 열등하다고 여겨져 사용이 제한되었다.[7]
전하 트랩(CT) 메모리는 1960년대 후반 MNOS 장치와 함께 도입되었다. 이는 부동 게이트(FG) 메모리와 유사한 장치 구조 및 작동 원리를 가졌지만, 주된 차이점은 FG 메모리에서는 전하가 전도성 재료(일반적으로 도핑된 폴리실리콘 층)에 저장되는 반면, CT 메모리에서는 유전체 층(일반적으로 질화 규소로 만들어짐) 내의 국부화된 트랩에 전하를 저장한다는 점이다.[8]
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같이 보기
각주
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