웨이퍼 백그라인딩

웨이퍼 백그라인딩(wafer backgrinding)은 반도체 제조 단계 중 하나로, 집적 회로(IC)의 스태킹 및 고밀도 패키징을 위해 웨이퍼 두께를 줄이는 공정이다.

IC는 수많은 공정 단계를 거치는 반도체 웨이퍼 위에서 생산된다. 오늘날 주로 사용되는 규소 웨이퍼는 직경이 200mm 또는 300mm이다. 이 웨이퍼는 최소한의 기계적 안정성을 보장하고 고온 공정 중 휘어짐을 방지하기 위해 약 750 μm 두께를 가진다.

스마트카드, USB 메모리 스틱, 스마트폰, 휴대용 음악 플레이어 및 기타 초소형 전자 제품은 모든 차원에서 다양한 구성 요소의 크기를 최소화하지 않으면 현재 형태로 구현할 수 없다. 따라서 웨이퍼 뒷면은 웨이퍼 다이싱(개별 마이크로칩 분리) 전에 그라인딩된다. 오늘날 75~50μm까지 얇아진 웨이퍼가 일반적이다.^[1]

그라인딩 전에 웨이퍼는 일반적으로 UV 경화형 백그라인딩 테이프로 라미네이팅되는데, 이는 백그라인딩 중 웨이퍼 표면 손상을 방지하고 그라인딩 유체 및 잔해물의 침투로 인한 웨이퍼 표면 오염을 방지한다.^[2] 또한 웨이퍼는 공정 전반에 걸쳐 정제수로 세척되어 오염을 방지한다.^[3]

이 공정은 "백랩"(backlap),^[4] "백피니시"(backfinish), "백사이드 그라인딩"(back side grinding) 또는 "웨이퍼 시닝"(wafer thinning)으로도 알려져 있다.^[5]

백그라인딩 후, 완성된 웨이퍼는 다이 분리라고 불리는 공정에서 개별 칩으로 절단된다.

같이 보기

• 이면조사 센서