Isamu Akasaki
From Wikipedia, the free encyclopedia
Remove ads
Isamu Akasaki (japāņu: 赤﨑 勇; dzimis 1929. gada 30. janvārī, miris 2021. gada 1. aprīlī) bija japāņu inženieris un fiziķis, specializējies pusvadītāju tehnoloģiju jomā, vislabāk pazīstams ar spilgtas gallija nitrīda (GaN) p-n pārejas zilas gaismas diodes izgudrošanu 1989. gadā, kam sekoja augsta spilgtuma GaN zilās gaismas diodes izgudrošana.[1]
Isamu Akasaki kopā ar Hirosi Amano un Sudzi Nakamuru 2014. gadā tika piešķirta Nobela prēmija fizikā "par jauna energoefektīva, videi draudzīga gaismas avota — zilo gaismu izstarojošas diodes (LED) — izgudrošanu"[2]
Remove ads
Biogrāfija
Dzimis Tiranas pilsētā, Kagosimas prefektūrā, uzaudzis Kagosimas pilsētā. Viņa vecākais brālis Masanori arī kļuva par elektroniskās inženierijas pētnieku, bijis Kjusju Universitātes emeritētais profesors.
1946. gadā Akasaki absolvēja vidusskolu Kagosimas prefektūrā. Pēc tam 1949. gadā absolvēja Zosikanas septīto augstskolu (tagad Kagosimas Universitāte) un 1952. gadā — Kioto Universitāti. Pēc elektrotehnikas studijām Kioto Universitātē viņš sāka strādāt elektronikas uzņēmumā Kobe Kogyo Corporation. Vēlāk Akasaki atgriezās akadēmiskajā vidē un 1964. gadā ieguva inženierzinātņu doktora grādu Nagojas Universitātē. Pēc daudzu gadu darba elektronikas uzņēmumā Matsuhita 1981. gadā viņš kļuva par profesoru Nagojas Universitātē un pēc tam Meijo Universitātē Nagojā.[3]
1992. gadā Akasaki atstāja Nagojas Universitāti un kļuva tur par emeritēto profesoru. Turpināja strādāt kā Meijo Universitātes profesors. No 2001. gada viņš strādāja arī par pētnieku Nagojas Universitātes Akasaki pētniecības centrā. No 2004. gada viņš bija arī Meijo Universitātes Nitrīdu pusvadītāju pētniecības centra direktors. Nagojas Universitāte 2004. gadā piešķīra Akasaki nopelniem bagātā profesora titulu un viņam par godu nosauca Akasaki institūtu, kas tika pabeigts 2006. gadā.[4]
Miris 2021. gada 1. aprīlī, 92 gadu vecumā, no pneimonijas.[5]
Remove ads
Pētījumi
Akasaki sāka strādāt pie gallija nitrīda (GaN) zilajām gaismas diodēm 1960. gadu beigās. Viņš uzlaboja GaN kristālu un ierīču struktūru kvalitāti laikā, kad strādāja Tokijas Matsusitas pētniecības institūtā. 1981. gadā viņš Nagojas Universitātē no jauna sāka attīstīt GaN, un viņa grupai izdevās izaudzēt augstas kvalitātes GaN. 1986. gadā Akasaki un Amano atklāja, ka augstas kvalitātes GaN kristālus var izveidot, uzliekot alumīnija nitrīda slāni uz safīra substrāta un pēc tam audzējot uz tā kristālus. 1989. gadā viņi atklāja, ka p-tipa GaN var veidoties, leģējot GaN kristālus ar magnija atomiem.[4]
Akasaki turpināja pētīt GaN materiālus 1990. gados un 2000. gadu sākumā (zilās gaismas diodes kļuva komerciāli pieejamas 1993. gadā). Viņa darbs palīdzēja izstrādāt zilo pusvadītāju lāzerus, kurus varēja izmantot optisko datu nesēju ierīcēm, piemēram, Blu-ray disku atskaņotājiem.[4]
Remove ads
Apbalvojumi
- Japānas valdības medaļa ar purpursarkano lenti (1997)
- Asahi prēmija (2001)
- Takeda balva (2002)
- Japānas Uzlecošās saules ordenis, zelta stari ar kakla lenti (2002)
- Japānas Nopelniem bagātā kultūras cilvēka nosaukums (2004)
- Kioto prēmija (2009)
- IEEE Edisona medaļa (2011)
- Japānas imperatora Kultūras ordenis (2011)[6]
- Nobela prēmija fizikā (2014)
- Dreipera prēmija (2015)
- UNESCO medaļa par ieguldījumu nanozinātņu un nanotehnoloģiju attīstībā (2016)
- Karalienes Elizabetes prēmija inženierzinātnēs (2021)
Atsauces
Ārējās saites
Wikiwand - on
Seamless Wikipedia browsing. On steroids.
Remove ads