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Walter Houser Brattain

Walter Houser Brattain Medalha Nobel
Transístor
Nascimento 10 de fevereiro de 1902
Xiamen
Morte 13 de outubro de 1987 (85 anos)
Seattle
Nacionalidade Estadunidense
Cidadania Estados Unidos
Irmão(s) Robert Brattain
Alma mater Universidade de Minnesota
Ocupação físico, inventor
Prêmios
Nobel de Física (1956)
, National Inventors Hall of Fame (1974)
Empregador Whitman College
Instituições Bell Labs
Campo(s) Física, invenção
Causa da morte doença de Alzheimer

Walter Houser Brattain (Xiamen, 10 de fevereiro de 1902Seattle, 13 de outubro de 1987) foi um físico estadunidense. Foi agraciado com o Nobel de Física em 1956, por pesquisas de semicondutores e a invenção do transístor.

Vida

O primeiro transistor do mundo, construído em 16 de dezembro de 1947 por Walter Brattain, originalmente exibido no Bell Laboratories. Walter Brattain nasceu, filho de Ross R. Brattain e Ottilie Houser, em Amoy (agora Xiamen), China. Ele cresceu no estado de Washington e recebeu seu BS do Whitman College em 1924 e um MA da University of Oregon em 1926. Em 1928/29, ele foi físico no National Bureau of Standards. Depois de receber seu doutorado em 1929 na Universidade de Minnesota, mudou-se para a Bell Laboratories, onde se aposentou em 1967.

Durante a Segunda Guerra Mundial, ele conduziu pesquisas na Universidade de Columbia de 1941 a 1943. De 1967 a 1972, foi professor visitante no Whitman College e de 1951/52 na Harvard University. De 1960 a 1966 ele fez parte do Comitê Consultivo de Pesquisa Naval da Marinha dos Estados Unidos e de 1966 a 1968 na Estação de Teste de Artilharia Naval.

Brattain se casou com o Dr. Keren (Gilmore) Brattain, com quem teve um filho (William Gilmore Brattain), e em 1958 Emma Jane (Kirsch) Miller.

O primeiro transistor do mundo, construído em 16 de dezembro de 1947 por Walter Brattain, originalmente exibido no Bell Laboratories
O primeiro transistor do mundo, construído em 16 de dezembro de 1947 por Walter Brattain, originalmente exibido no Bell Laboratories

Trabalho

Brattain lidou principalmente com as propriedades superficiais dos sólidos. Após a pesquisa inicial sobre tungstênio, ele estava principalmente interessado em efeitos de superfície em semicondutores como silício e germânio, para os quais ele fez contribuições importantes para um melhor entendimento. Junto com John Bardeen, ele desenvolveu o transistor de ponto de contato.

Brattain recebeu em 1956 junto com William B. Shockley e John Bardeen o Prêmio Nobel de Física “por suas pesquisas sobre semicondutores e sua descoberta do efeito transistor”.

Ligações externas


Precedido por
Willis Eugene Lamb e Polykarp Kusch
Nobel de Física
1956
com William Bradford Shockley e John Bardeen
Sucedido por
Chen Ning Yang e Tsung-Dao Lee


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