Список микроэлектронных производств

Основная статья: Полупроводниковая промышленность

В данном списке собраны некоторые крупнейшие промышленные фабрики, производящие микроэлектронную технику. Указаны только действующие фабрики, занимающиеся изготовлением полупроводниковых структур СБИС. Для части фабрик указаны заявленные компаниями максимальные производительности.

В России и СНГ

Основная статья: Электронная промышленность России

Микроэлектронное производство в России^[1]:

Компания	Название фабрики	Местоположение	Примерная стоимость	Начало производства	Диаметр пластин, мм	Техпроцесс, нм	Производительность, пластин в месяц
НМ-Тех	бывший завод Ангстрем-Т[1] ([2][3][4][5])	Зеленоград	45 млрд рублей[6] + 355 млн рублей + 8,4 млрд рублей	05 августа 2016 года производство начато[7]. 2019 - остановка в связи с банкротством. 2023 - планируется возобновление	200 [6]	250-110[2][6] (возм. до 90 нм)	20000 [2][6]
Ангстрем	Линия 150	Зеленоград			150	600 (КНС/КНИ)	8000[8]
	Линия 100	Зеленоград			100	1200 (КНС)	4000[8]
НИИМЭ и Микрон	Микрон	Зеленоград	~400 млн $[9]	2012	200	90 (массовое) 65 (опытное)	3000[10]
	Микрон	Зеленоград		2009[11]	200	180
Крокус Наноэлектроника (КНЭ)[1]		Москва (АЗЛК)	$200 млн[12]	2016[13]	200/300	90/55 только MRAM слои[14]	до 4000
НИИИС[1]		Нижний Новгород			150	Маски, MEMS, СВЧ
НПК «Технологический центр»		Зеленоград			100
Исток[1]		Фрязино			150 мм
Микран[1]		Томск		25 марта 2015[15].	100 мм
Группа Кремний ЭЛ[16]		Брянск		19 марта 2019		500
ВЗПП-Микрон		Воронеж			100/150 мм
	Светлана-Полупроводники[17]	Санкт-Петербург
ВЗПП-С[18]		Воронеж
Синтез Микроэлектроника[19]		Воронеж			200	350
НЗПП с ОКБ[20] и НПП «Восток»		Новосибирск			100 мм	180/250[21]
НИИ Системных исследований РАН[22]		Москва				250/350/500	мелкосерийное производство, опытные партии
Протон[23]		Орёл
НПП Пульсар[24]		Москва
Российские космические системы[25]		Москва			76,2/100/150	1000
Росэлектроника	Светлана-Рост	Санкт-Петербург			50,8/76,2/100	200/500/800/1000
Светлана-Электронприбор[26]	Светлана-Электронприбор	Санкт-Петербург
НИИ полупроводниковых приборов[27]		Томск
Центральное конструкторское бюро автоматики[28]		Омск				900
ADGEX[29]		Санкт-Петербург			12,5	500
АО ОКБ-Планета		Великий Новгород			100	150

В Белоруссии микроэлектронное производство имеется у компании Интеграл (Минск):^{[30][31][32][33][34]}

• 200-миллиметровые пластины: 1 тыс. пластин в месяц по техпроцессу 0,35 мкм^[32];
• 150-миллиметровые пластины: 10 тыс. пластин в месяц по техпроцессу 0,35 мкм; 29,5 тыс. пластин в месяц по техпроцессу 1,5 мкм
• 100-миллиметровые пластины (техпроцесс до 2 мкм): 15 тысяч пластин в месяц

В других странах

Компания	Название фабрики	Местоположение	Примерная стоимость, млрд долл.	Начало производства	Диаметр пластин, мм	Техпроцесс, нм	Производительность, пластин в месяц
Intel	D1D[35]	Хилсборо, Орегон, США		2003	300	22
Intel	D1C[35]	Хилсборо, Орегон, США		2001	300	32
Intel	D1X[36]	Хилсборо, Орегон, США		2013	300	22
Intel	Fab 12[35]	Чендлер, Аризона, США		1996	300	65
Intel	Fab 32[35][37]	Чендлер, Аризона, США	3	2007	300	45
Intel	Fab 32[35][38]	Чендлер, Аризона, США			300	32 / 22
Intel	Fab 42[39][40]	Чендлер, Аризона, США	5	2020[41]	300	10
Intel	Fab 11x[35]	Рио-Ранчо, Нью-Мексико, США		2002	300	32
Intel	Fab 11x[35]	Рио-Ранчо, Нью-Мексико, США		2002	300	45
Intel	Fab 17[35]	Хадсон[англ.], Массачусетс, США		1998	200
Intel	Fab 10[35]	Лейкслип, Ирландия		1994	200
Intel	Fab 14[35]	Лейкслип, Ирландия		1998	200
Intel	Fab 24[35]	Лейкслип, Ирландия		2006	300	65
Intel	Fab 24[35]	Лейкслип, Ирландия		2006	300	90
Intel	Fab 28[35]	Кирьят-Гат, Израиль		2008	300	45 / 22
Intel	Fab 68[35][42]	Далянь, Китай	2,5	2010	300	65
Motorola	MOTOFAB1[43]	Гвадалахара, Мексика		2002
Micron		Манассас, Виргиния, США			300
GlobalFoundries	Fab 1[44]	Дрезден, Германия	2.5	2005	300	45 и менее	80 000
GlobalFoundries	Fab 7[44]	Сингапур			300	130-40	50 000
GlobalFoundries	Fab 8[44][45]	Мальта[англ.], Нью-Йорк, США	4.6	2012	300	28	60 000
GlobalFoundries	Fab 2[46]	Сингапур			200	600-350	50 000
GlobalFoundries	Fab 3/5[47]	Сингапур			200	350-180	54 000
GlobalFoundries	Fab 3E[46]	Сингапур			200	180	34 000
GlobalFoundries	Fab 6[46]	Сингапур			200	110	45 000
GlobalFoundries	Fab 9[48]	Абу-Даби, ОАЭ		2015
TSMC	Fab 2[49]	Синьчжу, Тайвань			150
TSMC	Fab 3	Синьчжу, Тайвань			200
TSMC	Fab 5	Синьчжу, Тайвань			200
TSMC	Fab 6	Тайнань, Тайвань			200
TSMC	Fab 8	Синьчжу, Тайвань			200
TSMC	Fab 10	Шанхай, Китай			200
TSMC	Fab 12	Синьчжу, Тайвань			300	28
TSMC	Fab 12	Синьчжу, Тайвань			300	22
TSMC	Fab 12(P4)	Синьчжу, Тайвань
TSMC	Fab 14	Тайнань, Тайвань			300	28
TSMC WaferTech	Fab 14	Камас, Вашингтон, США			200
TSMC	Fab 15[50]	Тайчжун, Тайвань		2011Q4	300	28
TSMC	Fab 15[50]	Тайчжун, Тайвань		конец 2011	300	20
TSMC	Fab 16	Тайчжун, Тайвань		План	300	28
UMC	Fab 6A	Синьчжу, Тайвань			150
UMC	Fab 8AB	Синьчжу, Тайвань			200
UMC	Fab 8C	Синьчжу, Тайвань			200
UMC	Fab 8D	Синьчжу, Тайвань			200
UMC	Fab 8E	Синьчжу, Тайвань			200
UMC	Fab 8F	Синьчжу, Тайвань			200
UMC	Fab 8S	Синьчжу, Тайвань			200
UMC	Fab 12A	Тайнань, Тайвань			300
UMC	Fab 12	Сингапур			300
Vanguard International Semiconductor Corporation[англ.]	Fab 1	Синьчжу, Тайвань			200
Vanguard International Semiconductor Corporation	Fab 2	Синьчжу, Тайвань			200
IM Flash[англ.]	IM Flash[51]	Сингапур		2011.04	300	25
IM Flash	IM Flash	Лихай, Юта, США			300	20
IM Flash	IM Flash	Манассам, Виргиния, США
NXP Semiconductors	DHAM[52]	Гамбург, Германия
NXP Semiconductors		Гирин, Китай
NXP Semiconductors		Манчестер, Великобритания
NXP Semiconductors	ICN8	Неймеген, Нидерланды
NXP Semiconductors	SSMC	Сингапур
IBM	Building 323[53][54]	Ист-Фишкилл[англ.], Нью-Йорк, США	2.5	2002	300
IBM	Burlington Fab	Эссекс-Джанкшен[англ.], Вермонт, США			200
STMicroelectronics	Crolles 1 / Crolles 200	Кроль, Франция		1993	200
STMicroelectronics	Crolles2	Кроль, Франция		2003	300	90
STMicroelectronics	Crolles2	Кроль, Франция			300	65
STMicroelectronics	Crolles2	Кроль, Франция			300	45
STMicroelectronics	Crolles2	Кроль, Франция			300	32
STMicroelectronics	Agrate	Аграте-Брианца, Италия			200
STMicroelectronics	Catania	Катания, Италия		1997	200
STMicroelectronics	Rousset	Руссе, Франция		2000	200
CNSE[англ.]	NanoFab 300 North[55]	Олбани, Нью-Йорк, США	.175	2005	300	65
CNSE	NanoFab 300 North[55]	Олбани, Нью-Йорк, США			300	45
CNSE	NanoFab 300 North[55]	Олбани, Нью-Йорк, США			300	32
CNSE	NanoFab 300 North[55]	Олбани, Нью-Йорк, США			300	22
CNSE	NanoFab 300 South[55]	Олбани, Нью-Йорк, США	.050	2004	300	22
CNSE	NanoFab 200[56]	Олбани, Нью-Йорк, США	.016	1997	200
CNSE	NanoFab Central[55]	Олбани, Нью-Йорк, США	.150	2009	300	22
Powerchip Semiconductor[англ.]	Memory Foundry[57]	Синьчжу, Тайвань			300	90
Powerchip Semiconductor	Memory Foundry[57]	Синьчжу, Тайвань			300	70
Freescale Semiconductor	ATMC[58]	Остин, Техас, США		1995	200	90
Freescale Semiconductor	Chandler Fab[59]	Чендлер, Аризона, США	1.1[60]	1993	200	180
Freescale Semiconductor	Oak Hill Fab[61]	Остин, Техас, США	.8[62]	1991	200	250
Freescale Semiconductor	Sendai Fab[63]	Сендай, Япония		1987	150	500
Freescale Semiconductor	Toulouse Fab[64]	Тулуза, Франция		1969	150	650
SMIC	S1 Mega Fab[65]	Шанхай, Китай			200	90	94 тыс. суммарно на S1[66]
SMIC	S1 Mega Fab[65]	Шанхай, Китай			200	350
SMIC	S1 Mega Fab[65]	Шанхай, Китай			200	90
SMIC	S2[65]	Шанхай, Китай			300	45/40
SMIC	Fab 8	Шанхай, Китай			200	45-28 нм	15 тысяч суммарно на F8[66]
SMIC		Шанхай, Китай[67]	2,25[68]	2019		14нм
SMIC	B1 Mega Fab[65]	Пекин, Китай		2004	300	130
SMIC	B1 Mega Fab[65]	Пекин, Китай		2004	300	65/55	36 тысяч суммарно на B1[66]
SMIC	Fab 7[65]	Тяньцзинь, Китай		2004	200	350	39 тысяч суммарно на F7[66]
SMIC	Fab 7[65]	Тяньцзинь, Китай			200	130
Winbond	Memory Product Foundry[69]	Тайчжун, Тайвань			300	90
Winbond	Memory Product Foundry[69]	Тайчжун, Тайвань			300	65
MagnaChip[англ.]	F-5[70]	Чхонджу, Южная Корея		2005	200	130
ProMOS[англ.]	Fab 4[71][72]	Тайчжун, Тайвань	1.6		300	70
Telefunken Semiconductors[англ.]	Heilbronn	Хайльбронн, Германия			150		10,000
Telefunken Semiconductors	Roseville fab[73]	Розвилл, Калифорния, США			200
Hynix	M7[74]	Ичхон, Южная Корея			200
Hynix	M8[74]	Чхонджу, Южная Корея			200
Hynix	M9[74]	Чхонджу, Южная Корея			200
Hynix	E1[74]	Юджин, Орегон, США			200
Hynix	HC1[74]	Уси, Китай			200
Fujitsu	Fab No. 1[75]	Миэ, Япония		2005	300	90/65	15,000
Fujitsu	Fab No. 2[75]	Миэ, Япония		2007	300	90/65	25,000
Cypress Semiconductor[англ.]	Minnesota fab	Блумингтон, Миннесота, США				65
Cypress Semiconductor	Minnesota fab	Блумингтон, Миннесота, США				90
Cypress Semiconductor	Minnesota fab	Блумингтон, Миннесота, США				130
Cypress Semiconductor	Minnesota fab	Блумингтон, Миннесота, США				180
Cypress Semiconductor	Minnesota fab	Блумингтон, Миннесота, США				250
Cypress Semiconductor[англ.]	Minnesota fab	Блумингтон, Миннесота, США		1991		350
ON Semiconductor[англ.]	Gresham[76]	Грешем, Орегон, США		Future	200	65
ON Semiconductor[англ.]	Gresham[76]	Грешем, Орегон, США			200	130
ON Semiconductor[англ.]	Pocatello[77]	Покателло, Айдахо, США			200	350
ON Semiconductor[англ.]	Pocatello[77]	Покателло, Айдахо, США			200	5000
National Semiconductor	Greenock[78]	Гринок, Шотландия			150		20,833
National Semiconductor	South Portland[79]	Саут-Портленд, Мэн, США	.932	1997		350
National Semiconductor	South Portland[79]	Саут-Портленд, Мэн, США				250
National Semiconductor	South Portland[79]	Саут-Портленд, Мэн, США				180
National Semiconductor	West Jordan	Уэст-Джордан, Юта, США		1977	102
National Semiconductor	Arlington	Арлингтон, Техас, США		1985	152
Samsung	Line-16[80]	Хвасон, Южная Корея		2011	300	20	12,000
Samsung	S2[81]	Остин, Техас, США		2011	300	32	40,000
Tower Semiconductor[англ.]	Fab 1[82]	Мигдаль-ха-Эмек, Израиль		1989	150[83]	350-1000
Tower Semiconductor[англ.]	Fab 2[82]	Мигдаль-ха-Эмек, Израиль		2003	200[83]	130-180
Tower Semiconductor[англ.]	Fab 3[82]	Ньюпорт-Бич, Калифорния, США		1967	200[84]	130-500	17,000
Tower Semiconductor[англ.]	Fab 4[82][85]	Нисиваки, Япония
Tower Semiconductor[англ.]		Аграте-Брианца, Италия			300[83]	65
Tower Semiconductor[англ.]	Fab 9[86]	Сан-Антонио, Техас, США			200[83]	180
TPSCo[87] (Tower Semiconductor[англ.] & NTCJ)	Uozu fab	Уодзу, Тояма, Япония		1984	300[83]	65-45
TPSCo[87] (Tower Semiconductor[англ.] & NTCJ)	Tonami fab	Тонами, Тояма, Япония		1994	200[83]	150-350

• SigmaTel^[англ.] Inc. — американская компания по производству систем на кристалле (SoC), электроники и программного обеспечения, которая разрабатывает SoC для AV-медиаплееров/рекордеров; штаб-квартира в Остине, штат Техас. Объединилась с Freescale Semiconductor в 2008 г.
• Apogee Electronics^[англ.] — американский производитель аудиоинтерфейсов и аудиоконвертеров, USB и iOS-микрофонов , а также программного обеспечения для создания звука.