Список микроэлектронных производств

Основная статья: Полупроводниковая промышленность

В данном списке собраны некоторые крупнейшие промышленные фабрики, производящие микроэлектронную технику. Указаны только действующие фабрики, занимающиеся изготовлением полупроводниковых структур СБИС. Для части фабрик указаны заявленные компаниями максимальные производительности.

В России и СНГ

Основная статья: Электронная промышленность России

Микроэлектронное производство в России^[1]:

Компания	Название фабрики	Местоположение	Примерная стоимость	Начало производства	Диаметр пластин, мм	Техпроцесс, нм	Производительность, пластин в месяц
НМ-Тех	бывший завод Ангстрем-Т[1] ([2][3][4][5])	Зеленоград	45 млрд рублей[6] + 355 млн рублей + 8,4 млрд рублей	05 августа 2016 года производство начато[7]. 2019 - остановка в связи с банкротством. 2023 - планируется возобновление	200 [6]	250-110[2][6] (возм. до 90 нм)	20000 [2][6]
Ангстрем	Линия 150	Зеленоград			150	600 (КНС/КНИ)	8000[8]
	Линия 100	Зеленоград			100	1200 (КНС)	4000[8]
НИИМЭ и Микрон	Микрон	Зеленоград	~400 млн $[9]	2012	200	90 (массовое) 65 (опытное)	3000[10]
	Микрон	Зеленоград		2009[11]	200	180
Крокус Наноэлектроника (КНЭ)[1]		Москва (АЗЛК)	$200 млн[12]	2016[13]	200/300	90/55 только MRAM слои[14]	до 4000
НИИИС[1]		Нижний Новгород			150	Маски, MEMS, СВЧ
НПК «Технологический центр»		Зеленоград			100
Исток[1]		Фрязино			150 мм
Микран[1]		Томск		25 марта 2015[15].	100 мм
Группа Кремний ЭЛ[16]		Брянск		19 марта 2019		500
ВЗПП-Микрон		Воронеж			100/150 мм
	Светлана-Полупроводники[17]	Санкт-Петербург
ВЗПП-С[18]		Воронеж
Синтез Микроэлектроника[19]		Воронеж			200	350
НЗПП с ОКБ[20] и НПП «Восток»		Новосибирск			100 мм	180/250[21]
НИИ Системных исследований РАН[22]		Москва				250/350/500	мелкосерийное производство, опытные партии
Протон[23]		Орёл
НПП Пульсар[24]		Москва
Российские космические системы[25]		Москва			76,2/100/150	1000
Росэлектроника	Светлана-Рост	Санкт-Петербург			50,8/76,2/100	200/500/800/1000
Светлана-Электронприбор[26]	Светлана-Электронприбор	Санкт-Петербург
НИИ полупроводниковых приборов[27]		Томск
Центральное конструкторское бюро автоматики[28]		Омск				900
ADGEX[29]		Санкт-Петербург			12,5	500
АО ОКБ-Планета		Великий Новгород			100	150

В Белоруссии микроэлектронное производство имеется у компании Интеграл (Минск):^{[30][31][32][33][34]}

• 200-миллиметровые пластины: 1 тыс. пластин в месяц по техпроцессу 0,35 мкм^[32];
• 150-миллиметровые пластины: 10 тыс. пластин в месяц по техпроцессу 0,35 мкм; 29,5 тыс. пластин в месяц по техпроцессу 1,5 мкм
• 100-миллиметровые пластины (техпроцесс до 2 мкм): 15 тысяч пластин в месяц

В других странах

Компания	Название фабрики	Местоположение	Примерная стоимость, млрд долл.	Начало производства	Диаметр пластин, мм	Техпроцесс, нм	Производительность, пластин в месяц
Intel	D1D[35]	Hillsboro, Орегон, США		2003	300	22
Intel	D1C[35]	Hillsboro, Орегон, США		2001	300	32
Intel	D1X[36]	Hillsboro, Орегон, США		2013	300	22
Intel	Fab 12[35]	Chandler, Аризона, США		1996	300	65
Intel	Fab 32[35][37]	Chandler, Аризона, США	3	2007	300	45
Intel	Fab 32[35][38]	Chandler, Аризона, США			300	32 / 22
Intel	Fab 42[39][40]	Chandler, Аризона, США	5	2020[41]	300	10
Intel	Fab 11x[35]	Rio Rancho, New Mexico, США		2002	300	32
Intel	Fab 11x[35]	Rio Rancho, New Mexico, США		2002	300	45
Intel	Fab 17[35]	Hudson, Massachusetts, USA		1998	200
Intel	Fab 10[35]	Leixlip, Ирландия		1994	200
Intel	Fab 14[35]	Leixlip, Ирландия		1998	200
Intel	Fab 24[35]	Leixlip, Ирландия		2006	300	65
Intel	Fab 24[35]	Leixlip, Ирландия		2006	300	90
Intel	Fab 28[35]	Kiryat Gat, Израиль		2008	300	45 / 22
Intel	Fab 68[35][42]	Dalian, Китай	2,5	2010	300	65
Motorola	MOTOFAB1[43]	Guadalajara, Мексика		2002
Micron		Virginia, США			300
GlobalFoundries	Fab 1[44]	Дрезден, Германия	2.5	2005	300	45 и менее	80 000
GlobalFoundries	Fab 7[44]	Сингапур			300	130-40	50 000
GlobalFoundries	Fab 8[44][45]	Malta, NY, США	4.6	2012	300	28	60 000
GlobalFoundries	Fab 2[46]	Сингапур			200	600-350	50 000
GlobalFoundries	Fab 3/5[47]	Сингапур			200	350-180	54 000
GlobalFoundries	Fab 3E[46]	Сингапур			200	180	34 000
GlobalFoundries	Fab 6[46]	Сингапур			200	110	45 000
GlobalFoundries	Fab 9[48]	Abu Dhabi, ОАЭ		2015
TSMC	Fab 2[49]	Hsinchu, Тайвань			150
TSMC	Fab 3	Hsinchu, Тайвань			200
TSMC	Fab 5	Hsinchu, Тайвань			200
TSMC	Fab 6	Tainan, Тайвань			200
TSMC	Fab 8	Hsinchu, Тайвань			200
TSMC	Fab 10	Shanghai, Китай			200
TSMC	Fab 12	Hsinchu, Тайвань			300	28
TSMC	Fab 12	Hsinchu, Тайвань			300	22
TSMC	Fab 12(P4)	Hsinchu, Тайвань
TSMC	Fab 14	Tainan, Тайвань			300	28
TSMC WaferTech	Fab 14	Camas, Washington, США			200
TSMC	Fab 15[50]	Taichung, Тайвань		2011Q4	300	28
TSMC	Fab 15[50]	Taichung, Тайвань		конец 2011	300	20
TSMC	Fab 16	Taichung, Тайвань		План	300	28
UMC	Fab 6A	Hsinchu, Тайвань			150
UMC	Fab 8AB	Hsinchu, Тайвань			200
UMC	Fab 8C	Hsinchu, Тайвань			200
UMC	Fab 8D	Hsinchu, Тайвань			200
UMC	Fab 8E	Hsinchu, Тайвань			200
UMC	Fab 8F	Hsinchu, Тайвань			200
UMC	Fab 8S	Hsinchu, Тайвань			200
UMC	Fab 12A	Tainan, Тайвань			300
UMC	Fab 12	Сингапур			300
Vanguard International Semiconductor Corporation[англ.]	Fab 1	Тайвань, Hsinchu			200
Vanguard International Semiconductor Corporation	Fab 2	Тайвань, Hsinchu			200
IM Flash[англ.]	IM Flash[51]	Сингапур		2011.04	300	25
IM Flash	IM Flash	Lehi, Юта, США			300	20
IM Flash	IM Flash	Manassas (Виргиния, США)
NXP Semiconductors	DHAM[52]	Германия, Гамбург
NXP Semiconductors		Китай, Jilin
NXP Semiconductors		Великобритания, Манчестер
NXP Semiconductors	ICN8	Нидерланды, Nijmegen
NXP Semiconductors	SSMC	Сингапур
IBM	Building 323[53][54]	East Fishkill, N.Y., США	2.5	2002	300
IBM	Burlington Fab	Essex Junction, VT, США			200
STMicroelectronics	Crolles 1 / Crolles 200	Crolles, Франция		1993	200
STMicroelectronics	Crolles2	Crolles, Франция		2003	300	90
STMicroelectronics	Crolles2	Crolles, Франция			300	65
STMicroelectronics	Crolles2	Crolles, Франция			300	45
STMicroelectronics	Crolles2	Crolles, Франция			300	32
STMicroelectronics	Agrate	Agrate Brianza, Italy			200
STMicroelectronics	Catania	Catania, Italy		1997	200
STMicroelectronics	Rousset	Rousset, Франция		2000	200
CNSE[англ.]	NanoFab 300 North[55]	Albany, NY, США	.175	2005	300	65
CNSE	NanoFab 300 North[55]	Albany, NY, США			300	45
CNSE	NanoFab 300 North[55]	Albany, NY, США			300	32
CNSE	NanoFab 300 North[55]	Albany (NY, США)			300	22
CNSE	NanoFab 300 South[55]	Albany (NY, США)	.050	2004	300	22
CNSE	NanoFab 200[56]	Albany (NY, США)	.016	1997	200
CNSE	NanoFab Central[55]	Олбани (NY, США)	.150	2009	300	22
Powerchip Semiconductor[англ.]	Memory Foundry[57]	Тайвань			300	90
Powerchip Semiconductor	Memory Foundry[57]	Тайвань			300	70
Freescale Semiconductor	ATMC[58]	Остин (Техас, США)		1995	200	90
Freescale Semiconductor	Chandler Fab[59]	Chandler, Arizona, США	1.1[60]	1993	200	180
Freescale Semiconductor	Oak Hill Fab[61]	Остин, TX, США	.8[62]	1991	200	250
Freescale Semiconductor	Sendai Fab[63]	Sendai, Япония		1987	150	500
Freescale Semiconductor	Toulouse Fab[64]	Toulouse, Франция		1969	150	650
SMIC	S1 Mega Fab[65]	Шанхай, Китай			200	90	94 тыс. суммарно на S1[66]
SMIC	S1 Mega Fab[65]	Шанхай, Китай			200	350
SMIC	S1 Mega Fab[65]	Шанхай, Китай			200	90
SMIC	S2[65]	Шанхай, Китай			300	45/40
SMIC	Fab 8	Шанхай, Китай			200	45-28 нм	15 тысяч суммарно на F8[66]
SMIC		Шанхай, Китай[67]	2,25[68]	2019		14нм
SMIC	B1 Mega Fab[65]	Пекин, Китай		2004	300	130
SMIC	B1 Mega Fab[65]	Пекин, Китай		2004	300	65/55	36 тысяч суммарно на B1[66]
SMIC	Fab 7[65]	Тяньцзинь, Китай		2004	200	350	39 тысяч суммарно на F7[66]
SMIC	Fab 7[65]	Тяньцзинь, Китай			200	130
Winbond	Memory Product Foundry[69]	Тайчжун, Тайвань			300	90
Winbond	Memory Product Foundry[69]	Тайчжун, Тайвань			300	65
MagnaChip[англ.]	F-5[70]	Cheongju, Южная Корея		2005	200	130
ProMOS[англ.]	Fab 4[71][72]	Taichung, Тайвань	1.6		300	70
Telefunken Semiconductors[англ.]	Heilbronn	Heilbronn, Германия			150		10,000
Telefunken Semiconductors	Roseville fab[73]	Roseville, CA, США			200
Hynix	M7[74]	Icheon, Южная Корея			200
Hynix	M8[74]	Чхонджу, Южная Корея			200
Hynix	M9[74]	Чхонджу, Южная Корея			200
Hynix	E1[74]	Eugene (Орегрн, США)			200
Hynix	HC1[74]	Wuxi, Китай			200
Fujitsu	Fab No. 1[75]	Mie Prefecture, Япония		2005	300	90/65	15,000
Fujitsu	Fab No. 2[75]	Mie Prefecture, Япония		2007	300	90/65	25,000
Cypress Semiconductor[англ.]	Minnesota fab	Bloomington, MN, США				65
Cypress Semiconductor	Minnesota fab	Bloomington, MN, США				90
Cypress Semiconductor	Minnesota fab	Bloomington, MN, США				130
Cypress Semiconductor	Minnesota fab	Bloomington, MN, США				180
Cypress Semiconductor	Minnesota fab	Bloomington, MN, США				250
Cypress Semiconductor[англ.]	Minnesota fab	Bloomington, MN, США		1991		350
ON Semiconductor[англ.]	Gresham[76]	Gresham, OR, США		Future	200	65
ON Semiconductor[англ.]	Gresham[76]	Gresham, OR, США			200	130
ON Semiconductor[англ.]	Pocatello[77]	Pocatello, ID США			200	350
ON Semiconductor[англ.]	Pocatello[77]	Pocatello, ID США			200	5000
National Semiconductor	Greenock[78]	Greenock, Scotland			150		20,833
National Semiconductor	South Portland[79]	South Portland, ME, США	.932	1997		350
National Semiconductor	South Portland[79]	South Portland, ME, США				250
National Semiconductor	South Portland[79]	South Portland, ME, США				180
National Semiconductor	West Jordan	West Jordan, UT, США		1977	102
National Semiconductor	Arlington	Arlington, TX, США		1985	152
Samsung	Line-16[80]	Hwaseong, Южная Корея		2011	300	20	12,000
Samsung	S2[81]	Остин, TX, США		2011	300	32	40,000
Tower Semiconductor[англ.]	Fab 1[82]	Migdal Haemek, Израиль		1989	150[83]	350-1000
Tower Semiconductor[англ.]	Fab 2[82]	Migdal Haemek, Израиль		2003	200[83]	130-180
Tower Semiconductor[англ.]	Fab 3[82]	Newport Beach, Калифорния, США		1967	200[84]	130-500	17,000
Tower Semiconductor[англ.]	Fab 4[82][85]	Япония, Nishiwaki City
Tower Semiconductor[англ.]		Agrate, Италия			300[83]	65
Tower Semiconductor[англ.]	Fab 9[86]	Сан-Антонио, TX, США			200[83]	180
TPSCo[87] (Tower Semiconductor[англ.] & NTCJ)	Uozu fab	Uozu-city Toyama, Япония		1984	300[83]	65-45
TPSCo[87] (Tower Semiconductor[англ.] & NTCJ)	Tonami fab	Tonami, Toyama, Япония		1994	200[83]	150-350

• SigmaTel^[англ.] Inc. — американская компания по производству систем на кристалле (SoC), электроники и программного обеспечения, которая разрабатывает SoC для AV-медиаплееров/рекордеров; штаб-квартира в Остине, штат Техас. Объединилась с Freescale Semiconductor в 2008 г.
• Apogee Electronics^[англ.] — американский производитель аудиоинтерфейсов и аудиоконвертеров, USB и iOS-микрофонов , а также программного обеспечения для создания звука.