Напівпровідник n-типу

Напівпровідни́к n-ти́пу — напівпровідник, в якому основні носії заряду — електрони провідності.

Схематичне зображення кремнію із донорною домішкою фосфору

Для того, щоб отримати напівпровідник n-типу, власний напівпровідник легують донорами. Здебільшого це атоми, які мають на валентній оболонці на один електрон більше, ніж атоми напівпровідника, який легується. При не надто низьких температурах електрони зі значною ймовірністю переходять із донорних рівнів у зону провідності, де їхні стани делокалізовані й вони можуть вносити внесок у електричний струм.

Кількість електронів у зоні провідності залежить від концентрації донорів, енергії донорних рівнів, ширини забороненої зони напівпровідника, температури, ефективної густини рівнів у зоні провідності.

Здебільшого легування проводиться до рівня 10¹³ — 10¹⁹ донорів на см³. При високій концентрації донорів напівпровідник стає виродженим.

Див. також

• Напівпровідник p-типу
• p-n перехід