Direct Rambus DRAM 或称 DRDRAM(有时也称Rambus DRAMRDRAM)是Rambus公司设计制造的一种同步DRAM。RDRAM的模块封装称为RIMM(Rambus In-line Memory Module)。

RDRAM在主频信号的上升(Positive Edge Trigger,PET)与下降(Negative Edge Trigger,NET)都可以进行资料传输。由于销售需要,命名方式为时钟频率的二倍(避免与 DDR 存储器命名方式重复),400MHz规格的Rumbus被命名为PC800,提供1600MB/s传输速率。相比PC-133 SDRAM的1066MB/s传输速率大幅提高(PC-133 SDRAM工作于133MHz,使用64bit的168针DIMM插座)。

实际应用

个人电脑

1999年发表第一片支持RDRAM的主板。这些产品与PC800 RDRAM兼容,以400MHz频率工作并具有1600MB/s的传输速率,使用184针的RIMM插座。

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安装了散热片的 RDRAM 存储器模块

如果主板使用双通道架构的存储器子系统,则需要将所有存储器通道都插上RIMM。16位的单通道提供1条存储器通道,32位则提供2条。因此,在仅支持16位RIMM的双通道主板上,需要成对安装RIMM。而支持32位RIMM的双通道主板则可以逐条安装RIMM。16位与32位的RIMM不可混插。


模块规格

More information 规格命名, 总线宽度 ...
规格命名 总线宽度 通道 主频 传输速度
PC600 16Bit 单通道 RIMM 300 MHz 1200 MB/s
PC700 16Bit 单通道 RIMM 355 MHz 1420 MB/s
PC800 16Bit 单通道 RIMM 400 MHz 1600 MB/s
PC1066 (RIMM 2100) 16Bit 单通道 RIMM 533 MHz 2133 MB/s
PC1200 (RIMM 2400) 16Bit 单通道 RIMM 600 MHz 2400 MB/s
RIMM 3200 32Bit 双通道 RIMM 400 MHz 3200 MB/s
RIMM 4200 32Bit 双通道 RIMM 533 MHz 4200 MB/s
RIMM 4800 32Bit 双通道 RIMM 600 MHz 4800 MB/s
RIMM 6400 32Bit 双通道 RIMM 800 MHz 6400 MB/s
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电视游戏主机

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RDRAM18-NUS
在任天堂64上的RDRAM

Rambus的RDRAM最初在1996年的任天堂电视游戏主机Nintendo 64”(N64)上使用。N64使用4MB 9Bit总线,工作于500MHz的RDRAM,达到562.5MB/s的传输速度。受惠于RDRAM简单的设计,N64得以确保较大的存储器传输速度。而受惠于RDRAM狭窄的总线宽度,主板的电路设计师得以使用单纯的设计方式降低成本。然而,在随机存取方面延迟较高的缺点为人所诟病。N64为RDRAM模块使用了一套被动散热系统[1]

SONY PlayStation 2使用 32MB 的 RDRAM 主存储器,具备双通道架构可达到3200MB/s的传输速度。

SONY PlayStation 3使用256MB、64bit总线,工作于400MHz(有效主频达到3.2GHz)的XDR DRAM(RDRAM的后继产品),达到 204.8Gbit/s(25.6GB/s) 的高速资料传输速率[1],具有8倍于DDR-400 SDRAM的传输速度[2]

显卡

Cirrus Logic公司在Laguna显示芯片家族中的两个产品使用RDRAM。分别是仅有2D的5462、有3D加速的2D芯片5464。使用16Bit单通道,提供600MB/s的传输速度。

该芯片不仅利用RDRAM的高传输速度,更提供了成本方面的优点。此芯片在创新科技的Graphics Blaster MA3xx系列等使用。

性能

与当时的其他存储器规格相比较,Rambus由于增加了若干等待时间,以及在发热和制造上的复杂,导致成本较高。RDRAM也被批评印模尺寸太大,16M需要百分之10-20,64M需要约百分之5的接口,因此需要罚锾。[2]页面存档备份,存于互联网档案馆)。

PC800 RDRAM工作在45纳秒的等待时间,与当时的DRAM技术相比较高的等待时间。RDRAM的存储器芯片比SDRAM芯片发出更大的热量,所以所有的RIMM皆需要散热片。RDRAM每片存储器芯片皆内置控制器、与北桥芯片上配置单一的存储器控制器的SDRAM相比制造上大幅复杂。RDRAM由于较高的制造成本和授权费,与PC-133 SDRAM相比价格达到了2-3倍。


复数RIMM在同一个存储器通道安装的场合,对性能的影响比SDRAM的设计要高,与SDRAM的母模式途经1-2个芯片相比,RDRAM在较远的存储器模块上芯片必须要经过近乎与存储器控制器物理配置相当的所有存储器芯片。

最普通的Rambus存储器控制器的设计,是将存储器模块成对安装做为前提。剩下未使用的存储器插座必须安装CRIMM。追加的CRIMM模块并不会增加存储器的容量,只是为了不使主板上的信号发生反射而传达的相对于终端抵抗的信号。


伴随Intel 840Pentium III)、Intel 850Pentium 4), Intel 860Pentium 4 Xeon芯片组的登场,Intel增加了32bit双通道PC800 RDRAM的支持。随后,i850E芯片组导入了PC1066 RDRAM,双通道时的合计传输速度扩大到4264MB/s。 2000年登场的PC-2100 DDR SDRAM工作于133MHz,有效主频266MHz,使用184针DIMM插座的64bit总线提供2100MB/s的性能。 2002年,Intel发布了E7205 Granitebay芯片组。导入了双通道 DDR 存储器,同与之竞争的RDRAM相比,可以在更低的等待时间下,提供4200MB/s的合计传输速度。


基准测试

RDRAM为了达到800MHz的速度,与拥有64bit总线的现代SDRAM DIMM不同,存储器模块只可以工作在16bit总线下。然而,Intel 820登场时的RDRAM模块只能工作在较慢的主频,所有产品都无法工作在800MHz。 1998年的基准测试中,大部分的应用程序在RDRAM下速度偏低。RDRAM使用UMA比SDRAM产品相比仅仅是高速,Intel 820并不是低端产品,更没有开发使用RDRAM的低端制品。因此,RDRAM对于最终用户来说没有优势[3][永久失效链接]

1999年,使用Intel 840, Intel 820, Intel 440BX的基准测试中,由于使用Rambus芯片组而获得性能提高的,除了工作站用途之外,与440BX芯片组和PC-133 SDRAM相比,价钱的大幅提高并不正常。[4][失效链接]

2002年,单通道DDR SDRAM模块和SiS648组合时,实际的应用程序性能与双通道1066MHz RDRAM和Intel 850E的架构相抗衡。[5][失效链接]。 此后更有可使用双通道的DDR400 SDRAM模块的芯片组登场。

PC市场上的RDRAM

1996年11月,Rambus 与Intel签订了开发与授权协议。[3] 在与DDR SDRAM比较中认识了RDRAM的优越性后,Intel对于Wintel开发社群发表了自公司微处理器仅会支持Rambus存储器接口的声明,[4]Intel获取了Rambus公司以每股10美元100万股股票的购买权。

1998年,Intel为了加速Direct RDRAM的导入,计划了对Micron Technology进行5亿美元的资本投资。[5]作为额外的投资,还有1999年支付给Samsung的1亿美元等。


应对存储器过渡时期,Intel在Intel 82x芯片组上使用Memory Transfer Hub (MTH)以支持PC-133 SDRAM DIMM。[6]2000年,由于MTH在同时交换时,发生了不明原因的停止工作,突发重启的电气噪音,Intel召回了搭载MTH的Intel 820主板。[7]从此,Intel 820主板没有再搭载过MTH。

2000年,Intel将零售的Pentium 4 CPU与两支RIMM配套发售,援助RDRAM。[8]然而,Intel在翌年的2001年起逐渐停止了对Rambus的支持。[9]

2003年,Intel发布了Intel 865Intel 875芯片组,作为取代Intel 850的高端芯片组产品。此外,未来的存储器发展计划(roadmap)中并未包含Rambus。[10]

几乎没有DRAM生产厂商获取了RDRAM的生产许可证,而获取了技术许可证的公司就连仅仅生产满足市场需要的RIMM也失败了,在存储器价格高涨的2002年RIMM也设置了较SDRAM DIMM高的价格。[11]

相关条目

  • 传输速度

外部链接

注释

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