氮化铟镓

氮化铟镓（InGaN, In_xGa_1−xN）是由氮化镓和氮化铟混合的半导体，是三元的三五族直接带隙半导体。其能隙可以用调整铟的比例来调整。 In_xGa_1−xN的直接带隙范围从InN的红外线（0.69 eV）到GaN的紫外线（3.4 eV）之间。In/Ga的比例介于0.02/0.98到0.3/0.7之间^[1]。

InGaN蓝色LED（波长380–405 nm）

白光LED的光谱，其中有GaN或InGaN以及铈杂YAG

应用

LED

氮化铟镓是现代蓝色或绿色LED的发光层，通常是长晶在GaN缓冲层上，在蓝宝石或碳化硅的透明基板。氮化铟镓有高热容量，对游离辐射的灵敏度很低（类似其他三族元素的氮化物），因此适合用作光伏阵列材料，特别是人造卫星的光伏阵列。

太阳能电池

因为可以透过调整氮化铟镓中铟和镓的比例，在寛范围下调整能隙，且其频谱和阳光对应，因此氮化铟镓适合用在光伏阵列中^[2][3]。此材料对于各层晶格不匹配产生的缺陷较不敏感，因此可以生成不同层，各层有不同的能隙。二层的多结光伏电池，其能隙分别是1.1 eV和1.7 eV，其理论最大效率可以到50%，若沉积多层，且有更广的能隙范围，理论上效率有可能可以到70%^[4]。

量子异质结构

量子异质结构（英语：Quantum heterostructure）多半是由氮化镓加上氮化铟镓主动层制成。氮化铟镓可以和其他材料结合，例如GaN、氮化镓铝（英语：aluminium gallium nitride），底层是碳化硅、蓝宝石甚至是硅。

奈米柱

氮化铟镓奈米柱（英语：nanorod）是立体结构，和平面LED比较，奈米柱发射表面较大、效率较好，光发射量也比较大^{[来源请求]}。

安全性和毒性

有关氮化铟镓的毒性目前尚未完全研究。其粉末会刺激皮肤、眼睛和肺部。有关氮化铟镓制备原料（像三甲基铟、三甲基镓和氨）的环境、健康及安全（英语：environment, health and safety）议题以及标准有机金属化学气相沉积法来源的工业卫生监控，目前已有文献回顾^[5]。

相关条目

• 磷化铟镓
• 砷化铟镓（英语：Indium gallium arsenide）