氮化铟

氮化铟（InN）是一种小能隙的半导体材料，在太阳能电池及其他高速电子学上有潜在的应用^[2]。

氮化铟
别名	Indium(III) nitride
识别
CAS号	25617-98-5  Y
PubChem	117560
ChemSpider	105058
SMILES	[In]#N
InChI	1/In.N/rInN/c1-2
InChIKey	NWAIGJYBQQYSPW-QCNKTVRGAR
性质
化学式	InN
摩尔质量	128.83 g·mol⁻¹
外观	黑色粉末
密度	6.81 g/cm3
熔点	1100 °C（1373 K）
溶解性（水）	会水解
能隙	0.65 eV
电子迁移率	3200 cm2/(V.s) (300 K)
热导率	45 W/(m.K) (300 K)
折光度n D	2.9
结构
晶体结构	纤维锌矿 (六边形)
空间群	C46v-P63mc
晶格常数	a = 354.5 pm, c = 570.3 pm [1]
配位几何	四面体
危险性
MSDS	External MSDS
欧盟编号	未列出
主要危害	剌激性，会水解产生氨
相关物质
其他阴离子	磷化铟 砷化铟 锑化铟
其他阳离子	氮化硼 氮化铝 氮化镓
相关化学品	氮化铟镓 氮化铝铟镓
若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。

依温度的不同，氮化铟的能阶可以到约~0.7 eV^[3]（以往认定的值是1.97 eV）。其有效电子质量已由高磁场的测量所确认 ,^[4][5]， m*=0.055 m₀。氮化铟和氮化镓的合金为三元体系的氮化铟镓，其直接能阶从红外线（0.69 eV）延伸到紫外线（3.4 eV）。

目前有关氮化铟的研究是发展氮化物基础半导体的太阳能电池。利用合金氮化铟镓，可以对应太阳光的频谱。氮化铟的能阶其波长可以长到1900nm。不过这类太阳电池要商品化，仍有许多困难，利用氮化铟及高含铟的氮化铟镓制作p型半导体就是挑战之一。氮化铟和其他氮化物（如 氮化镓及氮化铝）的异质外延生长也已证实相当困难。

氮化铟的多晶薄膜有高导电性，在氦的温度下甚至有超导性。其超导转态温度为T_c依其薄膜结构而定，会低于4 K^[6][7]。其超导性在强磁场（数个特斯拉）下仍然存在，这和金属在磁场为 0.03 T时超导性就会下降的特性不同。其超导的特性是因为金属铟的链状结构^[6]或是奈米簇，其中依照金兹堡－朗道方程，较小的尺寸增高了临界磁场^[8]。

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