砷化铟

砷化铟是一种无机化合物，化学式InAs，是一种半导体材料。它是灰色的立方晶体，熔点942 °C。^[3]

砷化铟[1]
IUPAC名 Indium(III) arsenide
别名	Indium monoarsenide
识别
CAS号	1303-11-3  Y
PubChem	91500
ChemSpider	82621
SMILES	[As]#[In]
InChI	1/As.In/rAsIn/c1-2
InChIKey	RPQDHPTXJYYUPQ-FVESRWMKAB
性质
化学式	InAs
摩尔质量	189.740 g/mol g·mol⁻¹
密度	5.67 g/cm3
熔点	942°C
能隙	0.354 eV (300 K) eV
电子迁移率	40000 cm2/(V*s)
热导率	0.27 W/(cm*K) (300 K)
折光度n D	3.51
结构
晶体结构	立方ZnS结构[2]
热力学
ΔfHm⦵298K	-58.6 kJ·mol-1
S⦵298K	75.7 J·mol-1·K-1
热容	47.8 J·mol-1·K-1
危险性
警示术语	R：R23/25, R50/53
安全术语	S：S1/2, S20/21, S28, S45, S60, S61
欧盟分类	有毒(T) 对环境有害(N)
NFPA 704	0 4 0
相关物质
其他阴离子	磷化铟 锑化铟
其他阳离子	砷化镓
若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。

结构

砷化铟是立方ZnS结构，没有对称中心，所以[111]和[${\displaystyle {\overline {111}}}$]晶面是不等价的^[2]。