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砷化镓

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砷化鎵
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砷化镓化学式GaAs)是两种元素所合成的化合物,也是重要的IIIA族VA族化合物半导体材料,用来制作微波集成电路[a]红外线发光二极管半导体激光器太阳电池等器件。

事实速览 砷化镓, 识别 ...
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GaAs化合物半导体特别适合应用于无线通信中的高频传输领域,现在越来越多被应用于射频前端器件,这是因为GaAs化合物半导体电子迁移率比传统的硅快,且具有抗干扰、低噪声与耐高电压、耐高温与高频使用等特性,在4G与5G时代有高度需求。[2]

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性质

砷化镓是重要的化合物半导体材料,外观呈亮灰色,具金属光泽、性脆而硬。常温下比较稳定。加热到873K时,外表开始生成氧化物形成氧化膜包腹。常温下,砷化镓不与盐酸硫酸氢氟酸等反应,但能与浓硝酸反应,或氨水与双氧水混和的溶液,也能与热的盐酸和硫酸作用。

制备

砷化镓天然存量稀少,通常采用直接化合的方法,其中水平区域熔炼法是普遍采用的方法。通过区域提纯便可获得单晶。 采用间接的方法也可获得砷化镓。如一氯化镓英语Gallium chloride用砷蒸气还原来制备砷化镓;Ga(CH3)3AsH3在一定温度下,发生热分解得到砷化镓。

4GaCl + 2H2 + As4 → 4GaAs + 4HCl
Ga(CH3)3 + AsH3 → GaAs + 3CH4

应用

砷化镓的优点

  • 电子物理特性
    砷化镓拥有一些比还要好的电子特性,如较高的饱和电子速率英语Saturation velocity电子迁移率,使得砷化镓可以应用于高于250 GHz的场合。如果等效的砷化镓和Si器件同时都操作在高频时,砷化镓会拥有较少的噪声。也因为砷化镓有较高的击穿电压,所以砷化镓比同样的Si器件更适合操作在高功率的场合。因为这些特性,砷化镓电路可以运用在移动电话卫星通讯、微波点对点连线、雷达系统等地方。砷化镓曾用来做成Gunn diode(中文翻做“甘恩二极管”或“微波二极管”,中国大陆地区叫做“耿氏二极管”)以发射微波。现今以硅为基材而制成的RFCMOS虽可达到高操作频率及高整合度,但其先天物理上缺点如击穿电压较低、衬底于高频环境易损耗、信号隔离度不佳、低输出功率密度等,使其在功率放大器及射频开关应用上始终难以跟砷化镓匹敌[3]
  • 能隙
    砷化镓的另一个优点是直接能隙英语Direct and indirect band gaps的材料,所以可以应用在发光装置上。而硅是间接能隙英语Indirect bandgap的材料,发出的光非常微弱。最近的技术已可用硅做成LED和运用在激光领域,可是发光效率仍不甚理想。
  • 切换速度
    因为砷化镓的切换速度快,所以被认为是半导体的理想材料。1980年代时,大众普遍认为微电子市场的主力材料将从硅换成砷化镓,首先试着尝试切换材料的有超级电脑之供应商克雷公司Convex电脑公司英语Convex ComputerAlliant电脑系统公司英语Alliant Computer Systems,这些公司都试着要抢下CMOS微处理器技术的领导地位。Cray公司最后终于在1990年代早期建造了一台砷化镓为基础的机器,叫Cray-3英语Cray-3。但这项成就还没有被充分地运用,公司就在1995年破产了,于1996年被硅谷图形公司收购;经种种难关,在2000年后原名复活。
  • 抗天然辐射
    砷化镓比硅更不会受到自然辐射的干扰,不易产生错误信号[4]
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硅的优点

  • 地球表面有大量可提炼出硅的原料-硅酸盐矿,所以与砷化镓相比,提炼成本较低。硅基材的制程在业界已进入量产期许久,制造成本低廉;且硅也有较好的物理应力,可制成大尺寸的晶圆,进一步降低生产成本。硅工业已发展到规模经济(透过高产能以降低单位成本)的阶段,更降低了业界使用砷化镓的诱因。
  • 硅来源多且很容易转换成二氧化硅(在电子器件中是优良绝缘体),而二氧化硅可以轻易地被整合到硅电路中,且两者拥有很好的界面特性。反观,砷化镓很难产生一层稳定且坚固附着在砷化镓上的绝缘层。
  • 硅拥有很高的空穴移动率,在需要CMOS逻辑时,高空穴率可以达成高速的P-沟道场效应晶体管。如果需要快速的CMOS结构,虽然砷化镓的电子迁移率快,但因为功率消耗高,所以砷化镓电路较难被整合到硅电路内。

砷化镓的异质结构

因为砷化镓和砷化铝(AlAs)的晶格常数几乎一样,可以利用分子束外延(molecular beam epitaxy, MBE)或有机金属气相外延 (metal-organic vapour phase epitaxy,MOVPE,也称做有机金属化学气相沉积法),在砷化镓上轻易地形成异质的结构,生长出砷化铝或砷化铝镓英语Aluminium gallium arsenide(AlxGa1-xAs)合金;且因为生长出的合金层应力小,所以几乎可以任意调整生长厚度。

砷化镓的另一个重要应用是高效率的太阳电池。1970年时,Zhores Alferov和他的团队在苏联做出第一个砷化镓异质结构的太阳电池[5][6][7]。用砷化镓、GeInGaP三种材料做成的三接面太阳电池有32%以上的效率,且可以操作在2,000 suns下的剧烈强光。这种太阳电池曾运用在美国NASA探测火星表面的机器人勇气号火星探测器(Spirit Rover)和机遇号(Opportunity Rover),且许多太空载具的太阳电池板阵列都是出于砷化镓。

利用布里奇曼-史托巴格法Bridgman–Stockbarger technique)可以制造出砷化镓的单晶,因为砷化镓的力学特性,所以柴可拉斯基法Czochralski process)很难运用在砷化镓材料的制作。

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安全

砷化镓的毒性至今仍没有被很完整的研究。因为它含有,经研究指出,砷是有的,也是一种致癌物质。但因为砷化镓的晶体很稳定,所以如果身体吸收了少量,其实是可以忽略的(指“短时间”,长时间仍有累积成生物毒性,需要不定期体检)。当要做晶圆抛光制程(晶圆使表面微粒变小)时,表面的区域会和水起反应,释放或分解出少许的砷。就环境、健康和安全等方面来看砷化镓(就像是三甲基镓和砷)时,及有机金属前驱物的工业卫生监控研究,都最近指出以上的观点。[8]

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骗局

参考文献

外部链接

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