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7纳米制程
採用 7 nm FinFET 技術節點的半導體製程 来自维基百科，自由的百科全书
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历史
在2015年7月，IBM宣布以硅锗制程做出第一个可运作的7纳米晶体管[1][2]。台积电在2017年年中推出试验产品[3][4]，并于2018年第2季首先量产第一代7纳米芯片[5]。
第一个问世量产的7nm芯片是台积电制造的Apple A12 Bionic，用于2018年末推出的iPhone XS和iPhone XR智能手机[6]。2019年末发表的Apple A13 Bionic使用台积电第二代7nm制程生产，用于iPhone 11及iPhone 11 Pro。
高通Snapdragon 855和华为海思的麒麟980芯片也都采用了台积电的7纳米工艺。[7]
AMD于2019年推出采用了台积电7nm FinFET制程的RX 5700系列 GPU和Zen 2微架构 Ryzen CPU。而Intel预计2023年推出。[8]
富士通与理化学研究所共同开发的超级计算机“富岳”，采用之ARM架构处理器A64FX，也以7纳米制程生产[9]。
台积电在第三代7nm才引入极紫外光刻，而三星与Intel则计划直接量产采用极紫外光刻工艺的7nm芯片。[10]
Intel的10nm的预期性能最差也仅略输台积电的7nm，但Intel的10nm产品在台积电量产第一代7nm量产时仍未完全量产，且产品未达预期性能（甚至未明显超越Intel改良多年的14nm产品）；因此台积电的第一代7nm、是第一个让Intel失去领先地位的量产制程。
台积电和三星皆将后续改善的制程命名为6纳米，于2019年量产。[11]
2020年8月台积电在官方博客宣布，7nm制程芯片于2018年4月正式投入量产，直至2020年7月已生产出第10亿颗功能完好、没有缺陷的芯片，达成新的里程碑。
2021年4月，中芯国际在梁孟松与他的台籍团队主导下，基于现有艾司摩尔浸润式光刻DUV光刻制程机台技术，开始用N+1工艺量产7纳米芯片，[12][13][14]中芯也成为继台积电[15]和三星[16]之后，全球第3家能量产7纳米制程的芯片厂。但为避免过于张扬而招致更多制裁，中芯量产7纳米芯片后秘而不宣，直至1年多后，加拿大TechInsights公司于2022年7月，经反向工程拆解分析中芯为加拿大比特币挖矿公司MinerVa出货的MV7挖矿芯片，发现其为7纳米制程，从而证实了中芯已于1年多前量产7纳米芯片。[12][13][14]这个发现可以证明中芯国际确有利用比特币挖矿活动高峰期，为挖矿矿机业主生产ASIC矿机芯片，而研制了此工艺。[17]
2021年7月，英特尔宣布新的节点命名方式，将其节点与物理尺寸脱勾，其中该公司首次应用EUV技术的7nm FinFET制程更名为“Intel 4”，预定于2022年下半年投产、2023年出货[18][19]。
2023年9月3日，前述TechInsights公司收到Mate 60 Pro后，对其进行拆解分析后，发现中芯国际已量产了强化版的7纳米N+2工艺，证实华为海思半导体也应用了该制程。[20]
7纳米的后继制程计划是5纳米。
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以7纳米制程生产的芯片
- Apple A12 Bionic
- Apple A13 Bionic
- 高通Snapdragon 855系列
- 高通Snapdragon 865系列
- 海思半导体麒麟980、麒麟9000S
- AMD Radeon RX 5000系列 GPU
- AMD Radeon RX 6000系列 GPU
- AMD Zen 2微架构 Ryzen CPU
- AMD Zen 3微架构 Ryzen CPU
- 富士通A64FX
- 联发科技Helio M70 5G（MT6297）
- 联发科技天玑（Dimensity）
参考文献
外部链接
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