太阳能电池（solar cell）亦称太阳能芯片，近义词光电池（photovoltaic cell）或称光伏电池、光生伏打电池[1]），是一种将太阳光通过光生伏打效应转成电能的装置。太阳能电池按定义并非电池，因其并不储能，这是翻译名词，原意为太阳能单元，属于一种光电器件。
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在常见的半导体太阳能电池中，透过适当的能阶设计，便可有效的吸收太阳所发出的光，并产生电压与电流。这种现象又被称为太阳能光伏。
太阳能发电是一种可再生的环保发电方式，其发电过程中不会产生二氧化碳等温室气体，因此不会对环境造成污染；但太阳能电池板的生产过程会产生大量有毒废水，需另行处置。另外弃置的太阳能电池也是问题，若没有妥善的回收机制，会对环境造成污染。
按照制作材料分为硅基半导体电池、CdTe薄膜电池、CIGS薄膜电池、染料敏化薄膜电池、有机材料电池等。其中硅电池又分为单晶硅电池、多晶硅电池和无定形体硅薄膜电池等。对于太阳能电池来说最重要的参数是转换效率，目前在实验室所研发的硅基太阳能电池中（并非硅空气电池），单晶硅电池效率为25.0%，多晶硅电池效率为20.4%，CIGS薄膜电池效率达19.8%，CdTe薄膜电池效率达19.6%，非晶硅（无定形硅）薄膜电池的效率为10.1%。[2]
历史
术语“光生伏打”（Photovoltaics）一词，系photo-（希腊语，意为光）与volta（意为电气，纪念意大利物理学家亚历山德罗·伏打（Alessandro Volta））的结合，意指由光产生电的现象，最早的纪录可溯至十九世纪。
- 1839年，光生伏打效应第一次由法国物理学家亚历山大·埃德蒙·贝克勒发现。
- 1849年术语“光－伏”（photo-voltaic）出现在英语中，意指由光产生电动势。
- 1883年Charles Fritts制造了第一块太阳电池。Charles用硒半导体上覆上一层极薄的金层形成半导体金属结，该器件只有1%的效率。
- 1930年代，照相机的曝光计广泛地使用光生伏打原理。
- 1946年Russell Ohl申请了现代太阳电池的专利。
- 1950年代，随著半导体物理性质的逐渐了解，以及加工技术的进步，在1954年美国贝尔实验室的研究员发现，于硅中掺入一定量的杂质，会使其对光更加敏感，并制作出了第一个有实际应用价值的太阳能电池。
- 1960年代，美国发射的人造卫星已利用太阳能电池做为能量来源。
- 1970年代，由于能源危机，世界各国开始关注能源开发的重要性。1973年发生了石油危机，人们开始把太阳能电池的应用转移到一般的民生用途上。
目前，在美国、日本和以色列等国家，已经大量使用太阳能装置，更朝商业化的目标前进。
在这些国家中，美国于1983年在加州建立世界上最大的太阳能电厂，它的发电量可以高达16百万瓦特。南非、波札那、纳米比亚和非洲南部的其他国家也设立专案，鼓励偏远的乡村地区安装低成本的太阳能电池发电系统。
而推行太阳能发电最积极的国家首推日本。1994年日本实施补助奖励办法，推广每户3千瓦特的“市电并联型太阳光电能系统”。在第一年，政府补助49％的经费，以后的补助逐年递减。“市电并联型太阳光电能系统”是在日照充足的时候，由太阳能电池提供电能给自家的负载用，若有多馀的电力则另行储存。当发电量不足或者不发电的时候，所需要的电力再由电力公司提供。
到了1996年，日本有2,600户装置太阳能发电系统，装设总容量已经有8百万瓦特。一年后，已经有9,400户装置，装设的总容量也达到了32百万瓦特。近年来由于环保意识的高涨和政府补助金的制度，预估日本住家用太阳能电池的需求量，也会急速增加。
在中国，太阳能发电产业亦得到政府的大力鼓励和资助。2009年3月，中华人民共和国财政部财政部宣布拟对太阳能光电建筑等大型太阳能工程进行补贴。
构造与发电原理
太阳电池的基本构造是运用P型与N型半导体接合而成的，这种结构称为一个PN结。
当太阳光照射到一般的半导体（例如矽）时，会产生电子与电洞对，但它们很快的便会结合，并且将能量转换成光子或声子（热），光子和能量相关，声子则和动量相关。因此电子与电洞的生命期甚短；在P型中，由于具有较高的电洞密度，光产生的电洞具有较长的生命期，同理，在N型半导体中，电子有较长的生命期。
在P-N半导体接合处，由于有效载子浓度不同而造成的扩散，将会产生一个由N指向P的内建电场，因此当光子被接合处的半导体吸收时，所产生的电子将会受电场作用而移动至N型半导体处，电洞则移动至P型半导体处，因此便能在两侧累积电荷，若以导线连接，则可产生电流，而太阳能电池的挑战就在于如何将产生的电子电洞对在复合之前将其搜集起来。
从太阳来的光线，能量大部份落于1 – 3 eV之间，因此就单一个PN结而言，若经适当地设计，使吸收光能的高峰落于约1.5 eV，则能有最好的效率。[3]
太阳能电池应用在消费性商品上，大多有充电的问题，过去一般的充电对象采用镍氢或镍镉干电池，但是镍氢干电池无法抗高温，镍镉干电池有环境污染的问题。近年来超级电容发展快速，电容超大，面积较小，加上价格低廉，因此有部份太阳能产品开始改采超级电容为充电对象，因而改善了太阳能充电的许多问题：
- 充电较快速
- 寿命增长5倍以上
- 充电温度范围较广
- 减少太阳能电池用量（可低压充电）
太阳能电池材料种类
太阳能电池的材料种类繁多，可以有非晶矽、多晶矽、CdTe、CuInxGa（1-x）Se2等半导体的、或三五族、二六族的元素链结的材料等。
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其设计上主要透过不同的制程和方法，测试对光的反应和吸收，做到能隙结合宽广，让短波长或长波长都可以全盘吸收的革命性突破，来降低材料的成本。
太阳电池型式上可分作基板式与薄膜式，基板式在材料上又可分单晶式、或相溶后冷却而成的多晶式基板；薄膜式则可和建筑物有较佳的结合性，它具有曲度，有可挠、可折叠等特性，材料上较常用非晶矽。除前二者外，另有有机或奈米材料制作之太阳能电池，目前仍处研发阶段。
就太阳能电池的发展时间而言，可区分为四个世代：
- 第一代基板矽晶（Silicon Based）、第二代为薄膜（Thin Film）、第三代新观念研发（New Concept）、第四代复合薄膜材料。
- 第一代太阳能电池发展最长久，技术也最成熟。种类可分为单晶矽（Monocrystalline Silicon）、多晶矽（Polycrystalline Silicon）、非晶矽（Amorphous Silicon）。以应用来说是以前两者单晶矽与多晶矽为大宗，也因应不同设计的需求需要用到不同材料（例：对光波长的吸收、成本、面积......等等）。
- 第二代薄膜太阳能电池，将化合物半导体以薄膜制程来制造电池，种类可分为二元化合物（碲化镉CdTe、砷化镓）、三元化合物铜铟硒化物（Copper Indium Selenide CIS）、四元化合物铜铟镓硒化物（Copper Indium Gallium Selenide CIGS）。
- 第三代电池与前代电池最大的不同是制程中导入“有机物”和“奈米科技”。种类有光化学太阳能电池、染料光敏化太阳能电池、高分子太阳能电池、奈米结晶太阳能电池。
- 第四代则针对电池吸收光的薄膜做出多层结构。
某种电池制造技术，并非仅能制造一种类型的电池，例如在多晶矽制程，既可制造出矽晶版类型，也可以制造薄膜类型。
影响电池寿命的因素
电势诱导衰减（Potential Induced Degradation）简称PID效应，虽然目前光伏组件的效率在逐年提高，使用寿命也长达20－25年，发电量得到了保证，用户的预期收益也非常清晰。 但是，光伏组件的工作环境非常恶劣，不管是大型地面电站，还是农光互补、渔光互补等使用场景，在使用过程中会让效率降低，从而影响到发电量。其中，PID效应就是组件的“效率杀手”。
形成原因在于，光伏组件在使用过程中，在水汽和高温交替作用下，很难保持长时间密封。会导致组件内部大量电荷聚集在电池片表面，影响钝化效果，最终造成组件效率下降，发电量甚至会下降一半以上。 从2005年被发现至今，PID效应一直都是光伏企业和科研机构的“心头大患”。虽然其发生原因并不是非常明确，但普遍认为在湿度加大，盐度较大的沿海地区，PID效应较为容易发生。
据了解，在对光伏电站长期观察的过程中发现，在组件表面残留晨露或雨水并且有光照的情况下，很容易发生PID现象。严重的PID现象严重时，会引起一块组件功率衰减50%以上，从而影响整个组串的功率输出。所以各类光伏企业都高度重视PID效应。
造成PID现象的因素有很多，以下是从组件方面来分析发生PID现象的原因。主要有以下三个方面：
光伏电站的防雷接地是通过将方阵边缘的组件边框接地实现的，这就造成在单个组件和边框之间形成偏压，组件所处偏压越高则发生PID现象越严重。对于P型晶矽组件，通过有变压器的逆变器负极接地，消除组件边框相对于电池片的正向偏压会有效的预防PID现象的发生，但光伏逆变器负极接地会增加相应的系统建设成本；
高温、高湿的外界环境使得电池片和接地边框之间形成漏电流，封装材料、背板、玻璃和边框之间形成了漏电流通道。通过使用改变绝缘胶膜乙烯醋酸乙烯酯（EVA）是实现组件抗PID的方式之一，在使用不同EVA封装胶膜条件下，组件的抗PID性能会存在差异。另外，光伏组件中的玻璃主要为钙钠玻璃，玻璃对光伏组件的PID现象的影响至今尚不明确；
电池片方块电阻的均匀性、减反射层的厚度和折射率等对PID性能都有著不同的影响。
PID效应对组件功率输出并不是毁灭性的，在特定条件下是可以恢复的。但改善PID现象并降低其对组件功率的影响，可提高光伏电站系统的可靠性，是仅仅从组件层面上解决问题是不完善的。
可采用串联组件的负极接地或是在晚间对组件和大地之间施加正电压；进一步提高EVA胶膜的寿命和品质，优化封装工艺；改变电池片发射极和SiN减反层。
晶体硅（包括单晶硅及多晶硅）太阳电池工业生产流程
- 硅料提纯：将高纯的二氧化硅经过还原剂碳还原后，生成纯度为98%以上的冶金级硅，再经西门子法提纯为纯度大于99.99998%的太阳能级硅（纯度要求低于半导体级硅）。
- 拉晶或铸锭：将提纯得到的高纯硅料，经过柴氏法提拉结晶成为单晶硅棒，或者通过石英坩埚铸锭为多晶硅锭。
- 修角：该工艺只适用于单晶，目的是将圆柱形的单晶硅棒磨为近长方体形，使切出的硅片接近方形。
- 切片：用多线锯（金刚石线）将单晶硅棒或多晶硅锭切为200-300μm厚的薄片，目前工业上已大规模使用160-180μm左右的硅片进行生产。
- 清洗制绒：首先用碱液（一般为80摄氏度以上的NaOH溶液）腐蚀机械加工中造成硅片的损伤，然后分别用碱液（单晶硅片）或酸液（多晶硅片）制备出用于减反射的绒面，最后用甩干机甩干。
- 扩散制结：目前工业上用的硅片主要为p型片，因此需要通过扩散磷（P）来形成PN结，扩散一般通过扩散炉进行，工艺温度高于900摄氏度，但目前已经在开发低温的扩散工艺。如果是使用n型片制备太阳电池，则需要扩散硼（B）。
- 二次清洗：因为在扩散工艺中会形成非活性的磷硅玻璃，因此需要通过氢氟酸（HF）腐蚀掉。
- 制备减反射膜：工业中采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD），制备氮化硅SiNx减反射膜。
- 印刷电极：通过丝网印刷制备前后电极，前电极一般用银浆，后电极用银铝浆，而背面场则用铝浆印刷而成。具有相当快速且低成本的优点，也是有多项专利在市场上
- 烧结：通过烧结炉的高温烧结，使前电极烧穿前表面的氮化硅减反射膜，n型层形成良好的欧姆接触，而背面的铝扩散入硅中，在背表面形成p+的重掺区，从而形成背表面场。
新型太阳电池
目前市场上大量产的单晶与多晶矽的太阳电池平均效率约在15%上下，也就是说，这样的太阳电池只能将入射太阳光能转换成15%可用电能，其馀的85%都转换成了无法利用的热能。超高效率的太阳电池（第三代太阳电池[4]）的技术发展，除了运用新颖的元件结构设计，来尝试突破其物理限制外，也尝试新材料的引进，以达成大幅增加转换效率的目的。另外，也有许多后续的封装技术和光学技术，例如聚光型太阳能电池，透过光学的方式将太阳光聚集于太阳能面板上，而此类型的太阳能电池必须能承受高温环境。
在薄膜电池技术中，近年建筑物集成太阳能电池技术（Building Integrated Photo Voltaic，BIPV）特别引人注目。此技术把薄膜电池应用到建筑物的围护结构如屋顶、天窗、外观、门窗等部分的建筑材料之中；对于使用帷幕墙特别是玻璃幕墙的建筑物，BIPV更可结合在帷幕墙的材料之中。故其相对于非集成系统的优点，在于初投资可被因节省建材和劳工而抵消。被认为是太阳能电池工业中增长最大的技术之一。薄膜太阳能电池的好处在于可挠与低成本，透过沉积的方式即可完成，大面积，但转换效率不高，且有光衰退（因长期的光照使得材料功能性下降，又称作光裂解，原因是在薄膜沉积制程中有氢键，这些键会在照光时断键而形成缺陷）现象，非晶矽太阳能电池具有非常宽的频谱吸收，也可以做成可挠式的薄膜电池，对于绿色建筑等只需要将电池服贴于窗户甚至是建筑的表面，这一新技术对绿色建筑领域的发展具有开拓性的帮助。
目前调查显示，CIGS可弯曲模块是BIPV封装工业增长的最大推动力，相对而言CIGS有光优化的现象（照光后效率提升）。[5]
铜铟硒（CuInSe2, CIS）薄膜太阳能电池具有以下特点：
染料敏化太阳能电池（dye-sensitized solar cell，DSSC）是最近被开发出来的一种崭新的太阳电池。DSSC也被称为格雷策尔电池，因为是在1991年由格雷策尔等人发明[6]的构造和一般光伏特电池不同，其基板通常是玻璃，也可以是透明且可弯曲的聚合箔（polymer foil，金属薄膜），玻璃上有一层透明导电的氧化物（transparent conducting oxide，TCO）通常是使用FTO（SnO2:F），于上长有一层约10微米厚的porous奈米尺寸的TiO2粒子（约10～20 nm）形成一nano-porous薄膜。然后涂上一层染料附著于TiO2的粒子上。通常染料是采用钌多吡啶配合物（ruthenium polypyridyl complex）。上层的电极除了也是使用透明导电层和TCO外，也镀上一层铂当电解质反应的催化剂，二层电极间，则注入填满含有iodide/triiodide电解质。虽然目前DSSC电池的最高转换效率约在12%左右，但是制造过程简单，所以一般认为降低生产成本会更多，能用更低的成本提供同样的发电量。TCO是透明导电层，也可以减少光在穿透时被吸收的能量。
串叠型电池（Tandem Cell）属于一种运用新颖原件结构的电池，借由设计多层不同能隙的太阳能电池来达到吸收效率最佳化的结构设计，针对红光和蓝光区域的光谱会分别由两个电池来吸收。以增加QE的转换效率。目前由理论计算可知，如果在结构中放入越多层数的电池，将可把电池效率逐步提升，甚至可达到50%的转换效率，但串叠型电池的技术困难处在于它必须要做到电流匹配（current match），因为上下两层电池产生的电流串联时，会以电流于较小的那一颗电池为主，就如同水管大小串接在一起，水量会被出口面积较小的水管给局限住。[7] 此种高聚光太阳光发电（High Concentration Photovoltaic, HCPV）技术由于具有发电效率高、温度系数低及最有降低发电成本的潜力等优势，近年来逐渐受到国际的重视。例如在台湾，核能研究所利用MOCVD磊晶生长的方法进行堆叠式单体型InGaP/GaAs/Ge三接面太阳电池磊晶片的开发与太阳电池元件制程，所完成的太阳电池在128个太阳条件下，最佳能量转换效率为39.07 %。依据聚光型太阳光发电协会（CPV Consortium）资料显示，聚光型太阳光发电的全球市场将以145%年复合成长率向上增长，预估至2015年之安装量将达1.8 GW。[8]
称作第三代太阳能电池“钙钛矿”，已逐渐走出实验室迈入商业阶段，最大面积“A4大小”的钙钛矿太阳能电池，将现有太阳能板应用扩大到建筑、农电共生，就连室内也可以发电。能源转换效率已突破25％
表面透出淡淡的橘色的钙钛矿太阳能电池，可分为穿透型、半透型与不透型太阳能电池，差别在于太阳光线穿透太阳能板的程度与应用。
穿透型：应用在建筑的玻璃帷幕墙，保有室内光线，发电为辅。
半透型：应用在农电共生，部分太阳应用在发电，部分应用在植物行光合作用。
不透型：应用在发电，完全吸收太阳光来进行发电。
应用实例
应用市场的发展
由于封装技术、焊接材料与加工方法及晶片上的改良，在1991年太阳能系统的寿命约5到10年。到了1995年则增加到10～20年，而到公元2000年更可延长使用年限到25年以上。1995年，仅美国市场的太阳能电池销售额为35亿美元。由于石油及环保（全球温室效应）的问题，以及外交上对落后地区的援助，使得在公元2000年后全球的太阳能电池销售额成数倍的成长。
2005年后，德国等环保先进国家实行了新的建筑法规，太阳能板需求量爆发大增，市场严重缺货，造成全球太阳能电池产业蓬勃发展，许多太阳能电池厂的股价迅速攀升，并带动传统制造业转型，投入太阳能相关商品的开发与应用。
2011年的福岛第一核电站事故使得各国提高对各种再生能源的补贴，太阳能产业也因此扩大生产，造成供过于求，太阳能电池发电成本提早在2013~2014年达到电网平价（至少不会比传统发电贵），未来太阳能电池发电的成本将比燃煤发电便宜，但目前还不能确定多久。[9]
此外，太阳能电池除了硬体成本外，还有安装、管理、资金等软成本，许多国家在非硬体成本上都有很大的降价空间，只要改善非硬体的问题；在这方面表现最佳的是德国的每瓦2.21美元。[来源请求]根据SolarCity公司最新财报，每瓦价格为2.71美元。[10]
缺点与展望
太阳能的使用受天气影响极之大，因此只能辅助发电。而且生产过程中需要用强酸和强碱清洗，容易造成环境污染。
太阳能电池夜间无法发电，更大的缺点是容易受云层移动干扰（夜间无法发电可以预测，但云层移动干扰不好预测、因此是更严重的缺点）。但由于太阳能电池的发电尖峰通常接近电力使用尖峰，因此要到较高的安装量才会造成问题：目前多采取可以在短时间内改变发电量的天然气发电来调节，太阳能可以降低天然气使用量（成本）、天然气发电则可以弥补太阳能的不稳定性，互补性极佳；而大部分的地区，太阳能与风能具有互补性，太阳能电池与水力发电、抽水蓄能电站的互补性更高。未来的应变方案为研发高效能的电池技术以储存太阳能，例如蓄电池、飞轮储能、压缩空气储能技术等；若将能源储存系统与太阳能电池装置在社区或家庭，则可以大幅增加供电稳定性。
太阳能电池亦要和另一太阳能发电方案：聚光太阳能热发电竞争，后者的转化效率较高和技术成熟。不过缺点是体积较大和结构复杂。
另外，利用卫星发电亦可避免此二项干扰，例如美国和日本两国提出的“太空太阳能”计画（Satellite Solar PowerStation，SSPS）[11]，目标是将具有太阳能电池或热能发电系统的卫星，发射到太空中一个能够不断接受太阳光的地方，例如在赤道附近上空，便可以连续不停且稳定地接收太阳能，在转换为电能后，以微波的方式传回地球。
参见
参考资料
外部链接
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