化學氣相沉積
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化學氣相沉積(英語:chemical vapor deposition,簡稱CVD)是一種用來產生純度高、效能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的CVD製程是將晶圓(基底)暴露在一種或多種不同的前趨物下,在基底表面發生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。反應過程中通常也會伴隨地產生不同的副產品,但大多會隨着氣流被帶走,而不會留在反應腔(reaction chamber)中。
微製程大都使用CVD技術來沉積不同形式的材料,包括單晶、多晶、非晶及磊晶材料。這些材料有矽、碳纖維、碳納米纖維、納米線、納米碳管、SiO2、矽鍺、鎢、矽碳、氮化矽、氮氧化矽及各種不同的高介電係數(英語:High-κ dielectric)等材料。CVD製程也常用來生成合成鑽石。