直接帶隙和間接帶隙 - Wikiwand
For faster navigation, this Iframe is preloading the Wikiwand page for 直接帶隙和間接帶隙.

直接帶隙和間接帶隙

維基百科,自由的百科全書

直接帶隙(英語:Direct band gaps)是指半導體材料的導帶底的極小值和價帶頂的極大值在k空間內對應同一個k值的能帶結構,具有這種結構的半導體稱為直接躍遷型半導體(或稱直接帶隙半導體)。直接帶隙結構中,電子由價帶頂躍遷至導帶底時保持k不變,並吸收光子

間接帶隙(英語:Indirect band gaps)是指半導體材料的導帶底的極小值和價帶頂的極大值在k空間內對應不同k值的能帶結構,具有這種結構的半導體稱為間接躍遷型半導體(或稱間接帶隙半導體)。間接帶隙結構中,電子由價帶頂躍遷至導帶底時動量發生改變,因此電子躍遷時除吸收光子外還要吸收或發射聲子,這樣才能滿足動量守恆的要求。

材料特性

非直接躍遷是一個二級過程,其發生的機率很小(約為直接躍遷的1/1000)。相較之下,直接躍遷型材料更適合用作新型發光材料。

材料舉例

直接帶隙半導體材料:GaAs,GaN,InN,InP,GaSb,InAs,InSb等

間接帶隙半導體材料:Ge,Si,AlP,GaP,BAs,AlAs,AlSb等

參考來源

文獻

  • 半導體材料 / 楊樹人,王宗昌,王兢 -3版.-北京:科學出版社,2013.1 ISBN 978-7-03-036503-3
{{bottomLinkPreText}} {{bottomLinkText}}
直接帶隙和間接帶隙
Listen to this article