直接帶隙和間接帶隙
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直接能隙(英語:Direct band gaps)是指半導體材料的導帶底的極小值和價帶頂的極大值在k空間內對應同一個k值的能帶結構,具有這種結構的半導體稱為直接躍遷型半導體(或稱直接帶隙半導體)。直接帶隙結構中,電子由價帶頂躍遷至導帶底時保持k不變,並吸收光子。
間接能隙(英語:Indirect band gaps)是指半導體材料的導帶底的極小值和價帶頂的極大值在k空間內對應不同k值的能帶結構,具有這種結構的半導體稱為間接躍遷型半導體(或稱間接帶隙半導體)。間接帶隙結構中,電子由價帶頂躍遷至導帶底時動量發生改變,因此電子躍遷時除吸收光子外還要吸收或發射聲子,這樣才能滿足動量守恆的要求。