半导体材料

半导体材料是一类固体材料，其导电性介于导体和绝缘体之间，属于半导体。

此条目介绍的是半导体在材料科学和半导体产业方面的发展、分类。关于半导体的物理原理，请见“半导体”。

发展

• 1833年，英国的法拉第发现硫化银是半导体材料，因为它的电阻随着温度上升而降低。
• 1874年，德国的布劳恩注意到硫化物的电导率与所加电压的方向有关，这就是半导体的整流作用。
• 1947年12月23日，巴丁与布拉坦进一步使用点接触晶体管制作出一个语音放大器，晶体管正式发明。
• 1958年9月12日，美国的基尔比，细心地切了一块锗作为电阻，再用一块pn接面做为电容，制造出一个震荡器电路。

分类

以原料分为：

• 元素半导体材料：以单一元素组成的半导体，属于这一材料的有硼、金刚石、锗、硅、灰锡、锑、硒、碲等，其中以锗、硅、锡研究较早，制备工艺相对成熟。
• 复合半导体材料：由两种或两种以上无机物化合成的半导体，种类繁多，已知的二元化合物就有数百种。
  • 三五半导体：由Ⅲ族元素（如Al、Ga、In）和Ⅴ族元素（如P、As、Sb）组成，比如砷化镓（GaAs）；它们都具有闪锌矿结构，在应用方面仅次于Ge、Si。
  • 二六半导体：ⅡB族元素（如Zn、Cd、Hg）和Ⅵ族元素（如S、Se、Te）组成的化合物，是一些重要的光电材料；硫化锌（ZnS）、碲化镉（CdTe）、碲化汞（HgTe）具有闪锌矿结构。
  • 四四半导体：碳化硅（SiC）和硅锗合金都具有闪锌矿结构。
• 有机半导体：同时是有机物质的半导体。

列表

半导体材料列表

族	元素		化学式	能隙 (eV)	直接带隙和间接带隙
IV	1	硅	Si	1.12[1][2]	间接带隙
IV	1	Germanium	Ge	0.67[1][2]	间接带隙
IV	1	Material properties of diamond（英语：Material properties of diamond）	C	5.47[1][2]	间接带隙
IV	1	锡, α-Sn	Sn	0[3][4]	半金属 (能带理论)
IV	2	碳化硅, 3C-SiC	SiC	2.3[1]	间接带隙
IV	2	碳化硅, 4H-SiC	SiC	3.3[1]	间接带隙
IV	2	碳化硅, 6H-SiC（英语：6H-SiC）	SiC	3.0[1]	间接带隙
VI	1	硫, 硫的同素异形体	S8	2.6[5]
VI	1	硒	Se	1.83 - 2.0[6]	间接带隙
VI	1	硒	Se	2.05	间接带隙
VI	1	碲	Te	0.33[7]
III-V	2	氮化硼, cubic	BN	6.36[8]	间接带隙
III-V	2	氮化硼, hexagonal	BN	5.96[8]	quasi-direct
III-V	2	氮化硼	BN	5.5[9]
III-V	2	磷化硼	BP	2.1[10]	间接带隙
III-V	2	砷化硼	BAs	1.82	直接带隙
III-V	2	砷化硼	B12As2	3.47	间接带隙
III-V	2	氮化铝	AlN	6.28[1]	直接带隙
III-V	2	磷化铝	AlP	2.45[2]	间接带隙
III-V	2	砷化铝	AlAs	2.16[2]	间接带隙
III-V	2	锑化铝	AlSb	1.6/2.2[2]	直接带隙/direct
III-V	2	氮化镓	GaN	3.44[1][2]	直接带隙
III-V	2	磷化镓	GaP	2.26[1][2]	间接带隙
III-V	2	Gallium arsenide（英语：Gallium arsenide）	GaAs	1.42[1][2]	直接带隙
III-V	2	锑化镓	GaSb	0.73[1][2]	直接带隙
III-V	2	氮化铟	InN	0.7[1]	直接带隙
III-V	2	磷化铟	InP	1.35[1]	直接带隙
III-V	2	砷化铟	InAs	0.36[1]	直接带隙
III-V	2	锑化铟	InSb	0.17[1]	直接带隙
II-VI	2	硒化镉	CdSe	1.74[2]	直接带隙
II-VI	2	硫化镉	CdS	2.42[2]	直接带隙
II-VI	2	碲化镉	CdTe	1.49[2]	直接带隙
II-VI	2	氧化锌	ZnO	3.37[2]	直接带隙
II-VI	2	硒化锌	ZnSe	2.7[2]	直接带隙
II-VI	2	硫化锌	ZnS	3.54/3.91[2]	直接带隙
II-VI	2	碲化锌	ZnTe	2.3[2]	直接带隙
I-VII	2	氯化亚铜	CuCl	3.4[11]	直接带隙
I-VI	2	Copper sulfide（英语：Copper sulfide）	Cu2S	1.2[10]	间接带隙
IV-VI	2	硒化铅	PbSe	0.26[7]	直接带隙
IV-VI	2	硫化铅	PbS	0.37[12]
IV-VI	2	碲化铅	PbTe	0.32[1]
IV-VI	2	硫化亚锡	SnS	1.3/1.0[13]	直接带隙/间接带隙
IV-VI	2	二硫化锡	SnS2	2.2[14]
IV-VI	2	碲化亚锡	SnTe	0.18
IV-VI	3	Lead tin telluride（英语：Lead tin telluride）	Pb1−xSnxTe	0-0.29
V-VI	2	碲化铋	Bi2Te3	0.13[1]
II-V	2	磷化镉	Cd3P2	0.5[15]
II-V	2	砷化镉	Cd3As2	0
II-V	2	磷化锌	Zn3P2	1.5[16]	直接带隙
II-V	2	二磷化锌	ZnP2	2.1[17]
II-V	2	砷化锌	Zn3As2	1.0[18]
II-V	2	锑化锌	Zn3Sb2
氧	2	二氧化钛, 锐钛矿	TiO2	3.20[19]	间接带隙
氧	2	二氧化钛, 金红石	TiO2	3.0[19]	直接带隙
氧	2	二氧化钛, 板钛矿	TiO2	3.26[19]
氧	2	氧化亚铜	Cu2O	2.17[20]
氧	2	氧化铜	CuO	1.2
氧	2	二氧化铀	UO2	1.3
氧	2	二氧化锡	SnO2	3.7
氧	3	钛酸钡	BaTiO3	3
氧	3	钛酸锶	SrTiO3	3.3
氧	3	铌酸锂	LiNbO3	4
V-VI	2	monoclinic 二氧化钒	VO2	0.7[21]	光学带隙
	2	碘化铅	PbI2	2.4[22]
	2	二硫化钼	MoS2	1.23 eV (2H)[23]	间接带隙
	2	Gallium(II) selenide（英语：Gallium(II) selenide）	GaSe	2.1	间接带隙
	2	硒化铟	InSe	1.26-2.35 eV[24]	直接带隙 (2D间接带隙)
	2	硫化亚锡	SnS	>1.5 eV	直接带隙
	2	硫化铋	Bi2S3	1.3[1]
Magnetic, diluted (DMS)[25]	3	Gallium manganese arsenide（英语：Gallium manganese arsenide）	GaMnAs
Magnetic, diluted (DMS)	3	Lead manganese telluride	PbMnTe
	4	Lanthanum calcium manganate	La0.7Ca0.3MnO3
	2	氧化亚铁	FeO	2.2 [26]
	2	一氧化镍	NiO	3.6–4.0	直接带隙[27][28]
	2	Europium(II) oxide（英语：Europium(II) oxide）	EuO
	2	硫化亚铕	EuS
	2	溴化铬	CrBr3
其它	3	Copper indium selenide（英语：Copper indium selenide）, CIS	CuInSe2	1	直接带隙
其它	3	Silver gallium sulfide	AgGaS2
其它	3	Zinc silicon phosphide	ZnSiP2	2.0[10]
其它	2	三硫化二砷 雌黄	As2S3	2.7[29]	直接带隙
其它	2	硫化砷 雄黄	As4S4
其它	2	Platinum silicide（英语：Platinum silicide）	PtSi
其它	2	碘化铋	BiI3
其它	2	碘化汞	HgI2
其它	2	溴化亚铊	TlBr	2.68[30]
其它	2	硫化银	Ag2S	0.9[31]
其它	2	Iron disulfide（英语：Iron disulfide）	FeS2	0.95[32]
其它	4	Copper zinc tin sulfide（英语：Copper zinc tin sulfide）, CZTS	Cu2ZnSnS4	1.49	直接带隙
其它	4	Copper zinc antimony sulfide（英语：Copper zinc antimony sulfide）, CZAS	Cu1.18Zn0.40Sb1.90S7.2	2.2[33]	直接带隙
其它	3	Copper tin sulfide, CTS	Cu2SnS3	0.91[10]	直接带隙

合金表

半导体材料合金列表

族	元素	材料	化学式	能隙 (eV)		直接带隙和间接带隙
				下	上
IV-VI	3	Lead tin telluride（英语：Lead tin telluride）	Pb1−xSnxTe	0	0.29
IV	2	硅锗	Si1−xGex	0.67	1.11[1]	直接带隙/间接带隙
IV	2	Silicon-tin（英语：Silicon-tin）	Si1−xSnx	1.0	1.11	间接带隙
III-V	3	Aluminium gallium arsenide（英语：Aluminium gallium arsenide）	AlxGa1−xAs	1.42	2.16[1]	直接带隙/间接带隙
III-V	3	Indium gallium arsenide（英语：Indium gallium arsenide）	InxGa1−xAs	0.36	1.43	直接带隙
III-V	3	磷化铟镓	InxGa1−xP	1.35	2.26	直接带隙/间接带隙
III-V	3	Aluminium indium arsenide（英语：Aluminium indium arsenide）	AlxIn1−xAs	0.36	2.16	直接带隙/间接带隙
III-V	3	Aluminium gallium antimonide（英语：Aluminium gallium antimonide）	AlxGa1−xSb	0.7	1.61	直接带隙/间接带隙
III-V	3	Aluminium indium antimonide（英语：Aluminium indium antimonide）	AlxIn1−xSb	0.17	1.61	直接带隙/间接带隙
III-V	3	Gallium arsenide nitride	GaAsN
III-V	3	Gallium arsenide phosphide（英语：Gallium arsenide phosphide）	GaAsP	1.43	2.26	直接带隙/间接带隙
III-V	3	Aluminium arsenide antimonide（英语：Aluminium arsenide antimonide）	AlAsSb	1.61	2.16	间接带隙
III-V	3	Gallium arsenide antimonide（英语：Gallium arsenide antimonide）	GaAsSb	0.7	1.42[1]	直接带隙
III-V	3	Aluminium gallium nitride（英语：Aluminium gallium nitride）	AlGaN	3.44	6.28	直接带隙
III-V	3	Aluminium gallium phosphide（英语：Aluminium gallium phosphide）	AlGaP	2.26	2.45	间接带隙
III-V	3	Indium gallium nitride（英语：Indium gallium nitride）	InGaN	2	3.4	直接带隙
III-V	3	Indium arsenide antimonide（英语：Indium arsenide antimonide）	InAsSb	0.17	0.36	直接带隙
III-V	3	Indium gallium antimonide（英语：Indium gallium antimonide）	InGaSb	0.17	0.7	直接带隙
III-V	4	Aluminium gallium indium phosphide（英语：Aluminium gallium indium phosphide）	AlGaInP			直接带隙/间接带隙
III-V	4	Aluminium gallium arsenide phosphide	AlGaAsP
III-V	4	Indium gallium arsenide phosphide（英语：Indium gallium arsenide phosphide）	InGaAsP
III-V	4	Indium gallium arsenide antimonide（英语：Indium gallium arsenide antimonide）	InGaAsSb
III-V	4	Indium arsenide antimonide phosphide（英语：Indium arsenide antimonide phosphide）	InAsSbP
III-V	4	Aluminium indium arsenide phosphide	AlInAsP
III-V	4	Aluminium gallium arsenide nitride	AlGaAsN
III-V	4	Indium gallium arsenide nitride	InGaAsN
III-V	4	Indium aluminium arsenide nitride	InAlAsN
III-V	4	Gallium arsenide antimonide nitride	GaAsSbN
III-V	5	Gallium indium nitride arsenide antimonide	GaInNAsSb
III-V	5	Gallium indium arsenide antimonide phosphide（英语：Gallium indium arsenide antimonide phosphide）	GaInAsSbP
II-VI	3	碲化锌镉, CZT	CdZnTe	1.4	2.2	直接带隙
II-VI	3	Mercury cadmium telluride（英语：Mercury cadmium telluride）	HgCdTe	0	1.5
II-VI	3	Mercury zinc telluride（英语：Mercury zinc telluride）	HgZnTe	0	2.25
II-VI	3	Mercury zinc selenide	HgZnSe
II-V	4	Zinc cadmium phosphide arsenide（英语：Zinc cadmium phosphide arsenide）	(Zn1−xCdx)3(P1−yAsy)2[34]	0[35]	1.5[36]
其它	4	Copper indium gallium selenide（英语：Copper indium gallium selenide）, CIGS	Cu(In,Ga)Se2	1	1.7	直接带隙

参见

• 有机半导体