感應耦合電漿

感應耦合電漿（英語：Inductively Coupled Plasma，縮寫：ICP）是一種通過隨時間變化的磁場電磁感應產生電流作為能量來源的電漿體源。^[8]

圖 1. 一個感應耦合電漿火炬

「感應耦合電漿」的各地常用名稱
中國大陸	電感耦合等離子體
臺灣	感應耦合電漿[a] 交感耦合電漿[7]

分類

如圖2，總共有三種不同的ICP供能裝置。 ^[9][10]

圖 2. 三種ICP發生裝置

應用

ICP源的用途著有要四種：

1. 用於電漿體光譜診斷：通過分析ICP源的光譜來分析電漿體原子組分，參見感應耦合電漿原子發射光譜（ICP-AES）；
2. 電感耦合電漿質譜分析技術：作為質譜分析的離子源，分析組分（ICP-MS）；
3. 用於反應離子刻蝕：通過ICP源產生低溫電漿體，刻蝕材料表面，改變材料的物理與化學性質(ICP-RIE)；
4. 氣相沉積薄膜技術（rf-ICP）。