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晶圓背面研磨

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晶圓背面研磨半導體器件製造中的一個步驟,其目的是減薄晶圓厚度,以實現集成電路(IC)的堆疊和高密度封裝。

IC通常製造在經過多道工藝處理的半導體晶圓上。如今廣泛使用的晶圓直徑為200毫米和300毫米,厚度約為750微米,以確保基本的機械穩定性,並在高溫工藝中防止翹曲。

若不在各個維度上儘可能縮小組件尺寸,智慧卡、USB存儲器、智慧型手機、可攜式音樂播放器等超小型電子產品將無法實現。因此,在晶圓切割(即將晶圓分割成單個晶片)之前,通常會對晶圓背面進行研磨。如今,晶圓被減薄至75至50微米已很常見。[1]

在研磨前,晶圓通常會貼覆可紫外線固化的背面研磨膠帶,以防止研磨過程中晶圓表面受損,並避免研磨液和/或碎屑滲入造成表面污染。[2]整個過程中,晶圓還會使用去離子水清洗,以幫助防止污染。[3]

晶圓背面研磨過程也稱為「背磨」(backlap)[4]、「晶圓減薄」(wafer thinning)。[5]

完成背面研磨後,晶圓會通過稱為晶圓切割的工藝被切割成單個晶片。

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