梁式引線技術

梁式引線技術是一種製造半導體器件的方法。其最初的應用於高頻矽開關電晶體和高速集成電路。這項技術消除了當時積體電路常用的勞力密集引線鍵合製程。它還能夠將半導體晶片自動組裝到更大的基板上，從而促進混合集成電路生產。^[1]

梁式引線集成電路

20世紀60年代初期，MP Lepselter^[2][3]開發了一種製造技術，涉及在薄膜Ti-Pt-Au基底上電鑄一系列厚的自支撐金圖案，從而產生了「梁」一詞。這些圖案沉積在矽晶片的表面上。隨後去除樑下方多餘的半導體材料，使各個器件分離，並留下自支撐梁引線或懸臂超出半導體材料的內部晶片。這些觸點不僅充當電引線，還為設備提供結構支撐。

專利

專利發明包括：

1. 使用陰極濺鍍（電漿蝕刻/RIE）選擇性去除材料，美國專利#3,271,286；1966年發行
2. PtSi半導體接點和肖特基二極體（PtSi Schottky Diodes），美國專利#3,274,670；1966年發行
3. 包括梁式引線的半導體器件（梁式引線，Ti-Pt-Au 金屬系統），美國專利#3,426,252；1969年發行
4. 製作緊密間隔導電層的方法（空氣絕緣交叉、空氣橋、射頻開關），美國專利#3,461,524；1969年發行
5. 振動簧片裝置（MEMS），美國專利#3,609,593；1971年發行