氮化鋁銦鎵

氮化鋁銦鎵（AlGaInN）是以氮化鎵為基礎的化合物半導體，是氮化鎵、氮化鋁、氮化銦的混合物，常用磊晶成長的方式製成，像是有機金屬化學氣相沉積法（MOCVD）、分子束外延（MBE）、脈衝雷射沉積（PLD）等方式^{[來源請求]}。此材料用在特別的光電應用中，像是藍光雷射LED及藍光LED等。透過調整鋁、銦、鎵的比例，可以調整其能隙等參數。

氮化鋁銦鎵
性質
化學式	AlxGayInzN（0<x,y,z<1）
若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。

安全性和毒性

有關氮化鋁銦鎵的毒性目前尚未完全研究。其粉末會刺激皮膚、眼睛和肺部。有關氮化鋁銦鎵製備原料（像三甲基銦、三甲基鎵和氨）的環境、健康及安全（英語：environment, health and safety）議題以及標準有機金屬化學氣相沉積法來源的工業衛生監控，目前已有文獻回顧^[1]。

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