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電子注入增強柵電晶體

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電子注入增強柵電晶體(Injection enhanced gate transistor),簡稱IEGT,是一種結合了GTOIGBT元件優點的電子半導體器件,具有功率大、體積小、效率高、耐壓值高、節能性高等特性。

IEGT最先由日本東芝於1993年所研發,並以注入式增強結構(Injection Enhanced,簡稱IE)技術,取得IEGT器件開發與生產專利,也使得東芝成為IEGT器件的主要生產與供應商。

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