2奈米製程

在半導體產業中，2奈米製程是在3奈米製程技術水準之後的下一個半導體製造製程。台積電和三星皆規劃於2025年量產，英特爾最早宣布2027年量產，在更改節點命名後20A製程預計2024年量產。^[1]

背景

國際裝置與系統發展路線圖（IRDS）在2017年曾預計2.1奈米製程將在2027年量產^[2]。

2018年底，台積電董事長劉德音預測晶片規模將繼續擴大到3nm和2nm水準；^[3]然而，到2019年，其他半導體專家還沒有決定台積電的技術水準是否可以在3nm以外的水準上使用。^[4]

台積電於2019年開始了2nm技術的研究。^[5]台積電希望在從3nm到2nm時，能實現從FinFET到閘極全環電晶體（GAAFET）類型的轉變。^[6]據報道，台積電預計將在2023年或2024年左右進入2nm風險生產。^[7]2020年8月，台積電開始在新竹科學工業園區建立一個2nm技術的研發實驗室，預計到2021年部分投入使用。^[8]據報道，在2020年9月，台積電董事長劉德音曾表示，公司將在台灣新竹建立一個2nm水準的工廠，也可以根據需求在台中市的中部科學工業園區安裝生產^[9]。預計2025年量產^[10]。

英特爾於2019年計劃在2027年達至2nm製程水準^[11]。該公司於2021年7月宣布新的節點命名方式，其中2nm製程命名為「Intel 20A」，「A」為長度單位埃格斯特朗（Å），即0.1奈米^[12]

2021年5月，IBM宣佈在美國紐約州奧巴尼的晶片生產研究中心成功製造出全球首顆2nm製程GAAFET晶片^[13][14]。

2022年8月，日本成立Rapidus公司，旨在2027年將半導體製程提高到2奈米^[15]。

未來發展

國際裝置與系統發展路線圖（IRDS）曾預計2030年量產1.5奈米以及2033年量產1奈米。^[16]

目前英特爾已規劃18A（相當於1.8奈米）於2024年下半年量產，三廠皆規畫1.4奈米於2027年量產。^[17][18][19]台積電則規劃2026年量產1.6奈米^[20]，2030年量產1奈米。^[21]

英特爾最早在2019年規劃1.4奈米於2029年量產^[22]，節點更新後14A(相當於1.4奈米)預計於2027年量產。