DDR5 SDRAM

「DDR5」重新導向至此。關於GDDR5顯示記憶體，請見「GDDR5」。關於第5代行動型DDR記憶體，請見「Mobile DDR § LPDDR5」。

第五代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體（英語：double data rate fifth-generation synchronous dynamic random-access memory，縮寫DDR5 SDRAM）是一種高頻寬電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品。

DDR5 SDRAM

16 GiB DDR5-4800 1.1 V UDIMM 主記憶體
研發商	JEDEC
類型	SDRAM
產品世代	5代
發布日期	2020年7月14日[1]
前代機種	DDR4 SDRAM

據英特爾公司Geof Findley稱，JEDEC計畫在2016年發佈DDR5 SDRAM規範，該種記憶體將在2020年向終端使用者提供。截至2017年2月，JEDEC部分規範資訊已經公開。^[2][3][4]而2017年4月的新聞顯示，JEDEC宣布將在當年6月公布更多資訊，DDR5設計規範將於次年出爐^[5]。

2018年11月，SK海力士宣布研發完成，預計2020年量產。^[6] 2021年，十銓科技率先上市DDR5 4800 16X2套件記憶體。^{[來源請求]}

主記憶體晶片

雖然前幾代SDRAM允許使用由主記憶體晶片和無源布線（加上小型串行檢測ROM）組成的無緩衝 DIMM，但 DDR5 DIMM 需要額外的緩衝電路，使得 DIMM 的介面不同於 RAM 晶片本身的介面。

DDR5 LRDIMM 使用 12V 電壓，UDIMM 使用 5V 電壓。DDR5 DIMM 僅提供 3.3 V 的管理介面電源，^[7]並使用板載電路（電源管理積體電路和相關的組件）轉換為主記憶體晶片所需的較低電壓。接近使用點的最終電壓調節可提供更穩定的電源，並反映了 CPU 穩壓器的發展。

與 DDR4 不同，所有 DDR5 晶片都具有晶片內ECC，在將資料傳送到 CPU 之前檢測並糾正錯誤。但是，這與主記憶體模組上帶有額外資料校正晶片的真正ECC 主記憶體不同。DDR5 的糾錯是為了提高可靠性並允許使用更密集的 RAM 晶片，從而降低每個晶片的缺陷率。但請注意，DDR5 DIMM 仍有 ECC 變體。該變體有額外的電路到 CPU 以傳送錯誤檢測資料，讓 CPU 檢測和糾正傳輸過程中發生的錯誤。^[8]

雙控制器雙通道

處理器對每條 DIMM 主記憶體，均設有兩個獨立控制器，架構上兩條記憶體組成雙控制器雙通道。雖然早期的 SDRAM 有一條 CA（命令/位址）匯流排控制 64 條（用於非 ECC）或 72 條（用於 ECC）資料線，但在 DDR5 DIMM 時則由兩條 CA 匯流排控制：32 條（非 ECC）或 40 條（ECC）資料每條線，總共 64 或 80 條資料線。該匯流排寬度乘以兩倍的最小突發長度（16 位元組）保留了 64 位元組的最小訪問大小，這與 x86 微處理器使用的高速緩衝記憶體行大小相匹配。