Тэхналагічны інстытут Джорджыі

Тэхналагічны інстытут Джорджыі (англ.: Georgia Institute of Technology) — амерыканская вышэйшая навучальная ўстанова са статусам даследчага ўніверсітэта, якая знаходзіцца ў горадзе Атланта, штат Джорджыя. Заснаваны ў 1885 годзе як Тэхналагічная школа Джорджыі^[2].

Тэхналагічны інстытут Джорджыі
англ.: Georgia Institute of Technology
Арыгінальная назва	англ.: Georgia Institute of Technology
Заснаваны	1885
Тып	дзяржаўны ўніверсітэт
Студэнты	36 489[1]
Краіна	ЗША
Размяшчэнне	Атланта, Джорджыя, ЗША
Сайт	gatech.edu
Медыяфайлы на Вікісховішчы

Вядомыя выпускнікі

• Джэймс Эрл Картэр — 39-ы прэзідэнт ЗША.
• Кэры Муліс — лаўрэат Нобелеўскай прэміі па хіміі.
• Рычард Трулі — амерыканскі астранаўт.

Зноскі

1. https://www.usg.edu/assets/research/documents/enrollment_reports/SER_Fall_19_Final.pdf
2. History and Traditions (англ.). Праверана 25 красавіка 2020.