LDMOS

En LDMOS-transistor (akronym for laterally diffused metal oxide semiconductor^[1]) er en effekt-MOSFET-transistor variant, der anvendes i mikrobølge/RF-effektforstærkere. LDMOS-transistorer bliver ofte fabrikeret på p/p⁺ silicium epitaxial lag. Fabrikationen af LDMOS enheder omfatter mest forskellige ion-implantationer og efterfølgende mekanisk spændingsudligningscykler.^[1]

Eksempel på to LDMOS-transistorer i ét hus (produktkode BLF861A). Bemærk de brede tilledninger. Grunden til deres bredde er, at radiofrekvensstrømme kun løber i overfladen af metaller. Så for at minske tilledningsresistansen gøres de så brede som et kompromis mellem resistanstab og pris.

Eksempel på en monteret LDMOS-transistorchip (produktkode BLF2045). Drain er foroven (flest påsvejsede små bonding-ledere) og gate forneden. Metalpladen under mikrochippen er source.

Silicium-baserede LDMOS FETs er bredt anvendt i RF-effektforstærkere for basisstationer grundet kravet om høj udgangseffekt med en korresponderende drain-til-source breakdown-spænding der sædvanligvis er højere end 60 volt.^[2] Sammenlignet med andre enheder såsom GaAs FETs, har LDMOS lavere Ft.

Producenter af LDMOS-enheder og LDMOS teknologier omfatter TSMC, LFoundry, Tower Semiconductor, GlobalFoundries, Vanguard International Semiconductor Corporation, STMicroelectronics, Infineon Technologies, RFMD, Freescale Semiconductor, NXP Semiconductors, SMIC, MK Semiconductors, Polyfet og Ampleon.

RF-effektforstærkere baseret på en enkelt LDMOS-enhed lider af relativ lav effektivitet når anvendt i 3G og 4G (LTE) netværk, grundet til den høje spids-til-middel-effekt af modulationstyperne; CDMA og OFDMA access teknikker, anvendt i disse kommunikationssystemer. Effektiviteten af LDMOS effektforstærkere kan øges ved at anvende typiske effektivitetsforbedrende teknikker, fx Doherty topologier eller envelope-tracking.^[3]