MRAM

MRAM (acrônimo para Magneto-resistive Random Access Memory - em português, memórias magnetorresistivas de acesso aleatório) é uma memória de computador não-volátil, considerada chave para a criação das novas gerações de equipamentos móveis de alto desempenho.^[1] São um tipo de memórias de computador não-voláteis (NVRAM) que têm sido desenvolvidas desde a década de 1990.^[2]

Descrição

Estas memórias ainda estão em fase de teste e possbilitariam que por exemplo: Você iniciasse seu computador sem ter que esperar pelo boot. Ele ligaria exatamente do modo que parou e sem ter de esperar por toda a inicialização. Mas ainda há problemas quanto a dados que se corrompem muito facilmente. Talvez em mais uns 10 ou 15 anos, será a sucessora da eventual DDR.

O desenvolvimento se baseia em uma nova célula de memória que reduz pela metade o consumo de energia durante o processo de escrita de dados, uma nova arquitetura com características de alta velocidade e excelente desempenho. Os dois avanços permitirão o desenvolvimento de dispositivos de alta densidade baseados na tecnologia magneto-resistiva. Outras tecnologias parecidas até agora consumiam muita energia e eram baseadas em células - as unidades individuais de armazenamento dos dados.

As empresas Nec e Toshiba conseguiram reduzir o consumo de energia criando um novo formato para a junção de tunelamento magnético que armazena a informação. Ao invés de ser retangular, a nova junção possui saliências laterais em arco no centro. A corrente necessária para a escrita foi reduzida, além de proporcionar a redução no número de erros de escrita, mesmo se houver flutuações nas características de chaveamento de cada célula.

Estrutura simplificada de uma célula MRAM.^[3]

As pesquisas até hoje produziram duas propostas básicas para as estruturas das MRAM. A primeira acopla cada célula a um transistor, o que melhora o tempo de leitura, mas aumenta o tamanho da célula. Na segunda proposta, chamada de estrutura de ponto cruzado, o transistor é retirado de cada célula individual, o que reduz o tamanho da célula, mas aumenta o tempo de leitura e o número de erros, devido à geração de correntes de ladrão, que se dirigem para células não desejadas.

A nova MRAM utiliza uma estrutura de ponto cruzado na qual um transistor controla quatro células. Com isto as células têm o mesmo tamanho que as células das memórias RAM convencionais, e o tempo de leitura ficou em torno de 250ns, quatro vezes mais rápido do que as MRAM com a estrutura convencional.

Ligações externas

• MRAM technology information, resources and news (eng)
• MRAM infos and news (ger)

Referências

1. United States 4731757A, "Magnetoresistive memory including thin film storage cells having tapered ends"
2. Åkerman, Johan (22 de abril de 2005). «Toward a Universal Memory». Science (5721): 508–510. doi:10.1126/science.1110549. Consultado em 4 de outubro de 2025
3. Fuxi, Gan; Yang, Wang (February 9, 2015). Data Storage at the Nanoscale: Advances and Applications. [S.l.]: CRC Press. ISBN 978-981-4613-20-0 – via Google Books Verifique data em: |data= (ajuda)

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