Galijum arsenid

Galijum arsenid () je jedinjenje elementa galijuma i arsenika. On je III/V poluprovodnik, i koristi se u proizvodnji uređaja kao što su integrisana kola mikrotalasne frekvencije, monolitna mikrotalasna integrisana kola, infracrvena svetlećih dioda, laserskih dioda, solarnih ćelija i optičkih prozora.

Galijum arsenid

Nazivi
Preferisani naziv Galijum arsenida
Identifikacija
broj	1303-00-0 Y
3D model ()	interaktivna slika
	14087 Y
	100.013.741
broj	215-114-8
MeSH	gallium+arsenide
[1][2] енгл. -{Compound ID}- — ID једињења</span>"}]]}'>	14770
	LW8800000
UN broj	1557
Svojstva
Hemijska formula
Molarna masa
Agregatno stanje	Tamno crveni, staklasti kristali
Gustina
Tačka topljenja
Rastvorljivost u vodi	nerastvoran
Energijska barijera	1.424 (na 300 )
Elektronska mobilnost
Toplotna provodljivost	0.55
Indeks refrakcije ()	3.8[4]
Struktura
Kristalna rešetka/struktura	Teseralna
Kristalografska grupa
Konstanta rešetke	=
Geometrija molekula	Tetraedralna
Oblik molekula (orbitale i hibridizacija)	Linearan
Opasnosti
Bezbednost prilikom rukovanja	Spoljašnji
GHS grafikoni
GHS signalna reč	Opasnost
GHS opis opasnosti	H301, H331, H410
GHS mere predostrožnosti	P261, P273, P301+310, P311, P501
EU klasifikacija (DSD)	T
R-oznake	R23/25, R50/53
S-oznake	(S1/2), S20/21, S28, S45, S60, S61
NFPA 704	1 3 2 W
Ukoliko nije drugačije napomenuto, podaci se odnose na standardno stanje materijala (na 25 ° [77 °], 100 ).
Y verifikuj (šta je YН ?)
Reference infokutije

Priprema i hemija

U ovom jedinjenju, galijum ima +3 oksidaciono stanje. Galijum arsenid se može pripremiti direktnom reakcijom iz elementa, što se koristi u brojnim industrijskim procesesima:^[5]

• Kristalni rast koristeći peći horizontalne zone u Bridgman-Stokbargerovoj tehnici.
• Likvidno enkapsulirani rast se koristi za proizvodnju kristala visoke čistoće.

Alternativne metode za produkciju filmova od su:^[5][6]

• reakcija gasovitog galijuma i arsenik trihlorida:

• reakcija trimetilgalijuma i arsina:

• Galijum i arsenik:

ili