Indijum(III) fosfid

Indijum fosfid () je binarni poluprovodnik koji se sastoji od indijuma i fosfora. On ima čeono-centriranu kubnu kristalnu strukturu, identičnu sa i većinom poluprovodnika.

Indijum(III) fosfid

Nazivi
Drugi nazivi Indijum(III) fosfid
Identifikacija
broj	22398-80-7 Y
3D model ()	interaktivna slika
	28914 Y
	100.040.856
[1][2] енгл. -{Compound ID}- — ID једињења</span>"}]]}'>	31170
Svojstva
Hemijska formula
Molarna masa
Agregatno stanje	crni kubni kristali
Gustina
Tačka topljenja
Rastvorljivost u vodi	u maloj meri rastvoran u kiselinama[3]
Energijska barijera	1,344 (300 )
Elektronska mobilnost
Toplotna provodljivost	0,68 W/(cm·K) (300 K)
Indeks refrakcije ()	3,1 (infracrveni); 3.55 (632.8 nm)[4]
Struktura
Kristalna rešetka/struktura	Zink blenda
Geometrija molekula	Tetraedralna
Termohemija
Specifični toplotni kapacitet,
Standardna molarna entropija	59,8
Std entalpija formiranja (Δ⦵298)	-88,7
Opasnosti
Opasnost u toku rada	Toksičan, hidrolizuje se do fosfina
Bezbednost prilikom rukovanja
Srodna jedinjenja
Drugi anjoni	Indijum nitrid Indilum arsenid Indilum antimonid
Drugi katjoni	Aluminilum fosfid Galijum fosfid
Srodna jedinjenja	Indijum galijum fosfid Aluminijum galijum indijum fosfid Galijum indijum arsenid antimonid fosfid
Ukoliko nije drugačije napomenuto, podaci se odnose na standardno stanje materijala (na 25 ° [77 °], 100 ).
Y verifikuj (šta je YН ?)
Reference infokutije

se koristi u elektronici visoke snage i frekvencija zbog njegove superiorne elektronske brzine u odnosu na poluprovodnike u široj upotrebi poput silicijuma i galijum arsenida. On takođe poseduje direktnu zabranjenu zonu, što ga čini podesnim za optoelektronske uređaje kao što su laserske diode. se isto tako koristi kao zamena za epitaksijalni indijum galijum arsenid bazirane opto-elektronske uređaje.