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中村修二
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中村修二(日语:中村 修二/なかむら しゅうじ Nakamura Shūji ?,1954年5月22日—),生于日本爱媛县的美籍日裔电子工程学家,商业用高亮度蓝色发光二极管与青紫色激光二极管的发明者,世称“蓝光之父”。现任美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授、爱媛大学客座教授。文化勋章获得者。文化功劳者。
2014年,中村凭借“发明高亮度蓝色发光二极管,带来节能明亮的白色光源”与赤崎勇、天野浩共同获得诺贝尔物理学奖[4],晋身继南部阳一郎之后的第2位美国籍日裔诺贝尔奖得主。
中村是日本唯一同时拥有诺贝尔奖、富兰克林奖章、查尔斯·斯塔克·德雷珀奖、全球能源奖、全美发明家殿堂这5大荣誉的科学家。
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主要成就
1993年,中村修二对名古屋大学的赤崎勇、天野浩师徒有关p型GaN(氮化镓)的早期贡献,提出正确的理论解释,并独立发明以InGaN(基于氮化铟镓)晶体制作蓝色发光元件的双流式MOCVD方法(Two flow MOCVD),使得高亮度蓝色发光二极管正式实用化,开启爱迪生发明白炽灯之后的又一次人类照明革命。
生平
1954年5月22日,中村修二诞生于爱媛县西宇和郡四滨村。1965年迁居兵库县尼崎市,后来就读爱媛县立大洲高等学校普通科,亦参加排球社。1973年毕业后,原欲投考物理科系,但出于“就业不易”的考量,最终选择没有物理系的德岛大学。1977年从工学部电气工程科毕业,1979年获得同校工学硕士学位。完成学业后,中村原定进入京瓷公司[5]。但为照顾大学时代出生的小孩,改入邻近的日亚化学工业(日亚化)公司,在开发课工作。
中村就职后,竭力主张开发蓝色激光二极管的前景,日亚化因此拨给中村3亿日圆的研发经费。1987年至1988年9月,中村赴美国佛罗里达大学留学一年,回到日亚化投入2亿日圆着手改造有机金属化学气相沉积法装置。尽管受到公司新社长的反对,但中村仍坚持进行研究活动。
1993年,中村发明双流式MOCVD方法,日亚化得以量产实用级高亮度蓝色发光二极管,并取得LED照明市场的全球独霸地位,其后数年获利达数千亿日圆。翌年以论文“InGaN高亮度蓝色LED的相关研究”取得德岛大学论文博士学位(工学)。1995年,他成功实现InGaN/GaN蓝色激光二极管的室温下脉冲振荡。
1999年,中村离职,翌年应杨祖佑之邀担任加州大学圣塔芭芭拉分校材料工学院教授。
中村修二发明的双流式MOCVD方法即通称的404专利。中村赴美后,围绕着专利与专利转让问题,中村与日亚化展开了一系列诉讼。[6]2004年1月30日,中村正式控告日亚化,要求补偿发明的对价。一审法庭基于“中村的发明贡献不小于一半”的判断,判决日亚化需支付200亿日圆。但东京高等法院最终在2005年1月11日做出“建议和解”的裁决,日亚化支付中村8亿4000万日圆,自此买断中村在该公司的所有发明。当日,中村修二及其律师在记者会抨击“日本司法制度很烂”[7]。
赴美成为加州大学教授之后,中村修二亦陆续兼任信州大学(2002年)、爱媛大学(2006年)客座教授,以及复旦大学(2009年)顾问教授[9]。
2005年,中村发明可以简单地将水光电解取出氢气的方法。2007年1月,他宣布发明世界第一个非极性蓝紫色激光二极管。
中村修二名列2002年汤森路透引文桂冠奖,并在2014年与赤崎勇、天野浩同获诺贝尔物理学奖。天野教授其时谦称:“中村先生是实验之神,迅速推进蓝光LED的实用化。让氮化镓材料受到重视的最大功臣,除了中村没有第二个人。”[10]根据诺贝尔奖委员会,有关3人贡献的主要区别是:[11]
荣誉
- 1994年:应用物理学会论文奖
- 1996年:IEEE/LEOS 工程成就奖
- 1996年:仁科芳雄奖
- 1997年:大河内纪念奖
- 1997年:MRS Medal Award
- 1998年:IEEE Jack A. Morton Award
- 1998年:C&C奖
- 1998年:British Rank Prize
- 2000年:本田奖
- 2000年:Carl Zeis Research Award
- 2001年:朝日奖
- 2002年:武田奖(与赤崎勇、天野浩)
- 2002年:富兰克林奖章
- 2006年9月8日:千禧年科技奖
- 2008年:阿斯图里亚斯亲王奖学术・技术研究部门
- 2008年:香港科技大学名誉博士
- 2009年:哈维奖
- 2011年9月:第63回艾美奖技术开发部门
- 2014年:诺贝尔物理学奖[12](与赤崎勇、天野浩)
- 2014年:文化勋章·文化功劳者[13](与天野浩)
- 2015年:查尔斯·斯塔克·德雷珀奖
- 2015年:大洲市荣誉市民[14]
- 2015年:全球能源奖(继吉野彰之后,日本第二人)[15] 为了他发明,商业化和发展节能的白色LED照明技术[16]
- 2015年:全美发明家殿堂(继远藤章之后,日本第二人)
- 2020年:NAS Award for the Industrial Application of Science
- 2021年:Queen Elizabeth Prize for Engineering
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发言
在2014年《日本经济新闻》的专访中,中村解释自己为何入籍美国:
“ | 要从事这方面研究,没有美国国籍就无法获得军方的预算,同时无法从事与军方相关的研究。因此我取得了公民权。[17] | ” |
“ | 我认为中村先生带着很大的勇气来主张自己应有的权利。现在他正站在美国的讲台上执教。作为一名日本人,对此我感到很失落。如果日本的年轻人能够跟随开发出了伟大技术的研究人员学习,让其后继有人,那该多好啊![18] | ” |
2015年5月3日,中村修二在一场与JAXA负责人川口淳一郎的对谈中表示,江崎玲于奈(1973年诺贝尔物理学奖得主)是他“尤其尊敬的人物”。江崎发明了对LED至为重要的超晶格[19]。
参见
参考资料
外部链接
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