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中村修二
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中村修二（日语：中村 修二／なかむら しゅうじ Nakamura Shūji ?，1954年5月22日—），生于日本爱媛县的美籍日裔电子工程学家，商业用高亮度蓝色发光二极管与青紫色激光二极管的发明者，世称“蓝光之父”。现任美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授、爱媛大学客座教授。文化勋章获得者。文化功劳者。
2014年，中村凭借“发明高亮度蓝色发光二极管，带来节能明亮的白色光源”与赤崎勇、天野浩共同获得诺贝尔物理学奖[4]，晋身继南部阳一郎之后的第2位美国籍日裔诺贝尔奖得主。
中村是日本唯一同时拥有诺贝尔奖、富兰克林奖章、查尔斯·斯塔克·德雷珀奖、全球能源奖、全美发明家殿堂这5大荣誉的科学家。
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主要成就
1993年，中村修二对名古屋大学的赤崎勇、天野浩师徒有关p型GaN（氮化镓）的早期贡献，提出正确的理论解释，并独立发明以InGaN（基于氮化铟镓）晶体制作蓝色发光元件的双流式MOCVD方法（Two flow MOCVD），使得高亮度蓝色发光二极管正式实用化，开启爱迪生发明白炽灯之后的又一次人类照明革命。
生平
1954年5月22日，中村修二诞生于爱媛县西宇和郡四滨村。1965年迁居兵库县尼崎市，后来就读爱媛县立大洲高等学校普通科，亦参加排球社。1973年毕业后，原欲投考物理科系，但出于“就业不易”的考量，最终选择没有物理系的德岛大学。1977年从工学部电气工程科毕业，1979年获得同校工学硕士学位。完成学业后，中村原定进入京瓷公司[5]。但为照顾大学时代出生的小孩，改入邻近的日亚化学工业（日亚化）公司，在开发课工作。
中村就职后，竭力主张开发蓝色激光二极管的前景，日亚化因此拨给中村3亿日圆的研发经费。1987年至1988年9月，中村赴美国佛罗里达大学留学一年，回到日亚化投入2亿日圆着手改造有机金属化学气相沉积法装置。尽管受到公司新社长的反对，但中村仍坚持进行研究活动。
1993年，中村发明双流式MOCVD方法，日亚化得以量产实用级高亮度蓝色发光二极管，并取得LED照明市场的全球独霸地位，其后数年获利达数千亿日圆。翌年以论文“InGaN高亮度蓝色LED的相关研究”取得德岛大学论文博士学位（工学）。1995年，他成功实现InGaN/GaN蓝色激光二极管的室温下脉冲振荡。
1999年，中村离职，翌年应杨祖佑之邀担任加州大学圣塔芭芭拉分校材料工学院教授。
中村修二发明的双流式MOCVD方法即通称的404专利。中村赴美后，围绕着专利与专利转让问题，中村与日亚化展开了一系列诉讼。[6]2004年1月30日，中村正式控告日亚化，要求补偿发明的对价。一审法庭基于“中村的发明贡献不小于一半”的判断，判决日亚化需支付200亿日圆。但东京高等法院最终在2005年1月11日做出“建议和解”的裁决，日亚化支付中村8亿4000万日圆，自此买断中村在该公司的所有发明。当日，中村修二及其律师在记者会抨击“日本司法制度很烂”[7]。
赴美成为加州大学教授之后，中村修二亦陆续兼任信州大学（2002年）、爱媛大学（2006年）客座教授，以及复旦大学（2009年）顾问教授[9]。
2005年，中村发明可以简单地将水光电解取出氢气的方法。2007年1月，他宣布发明世界第一个非极性蓝紫色激光二极管。
中村修二名列2002年汤森路透引文桂冠奖，并在2014年与赤崎勇、天野浩同获诺贝尔物理学奖。天野教授其时谦称：“中村先生是实验之神，迅速推进蓝光LED的实用化。让氮化镓材料受到重视的最大功臣，除了中村没有第二个人。”[10]根据诺贝尔奖委员会，有关3人贡献的主要区别是：[11]
荣誉
- 1994年：应用物理学会论文奖
- 1996年：IEEE/LEOS 工程成就奖
- 1996年：仁科芳雄奖
- 1997年：大河内纪念奖
- 1997年：MRS Medal Award
- 1998年：IEEE Jack A. Morton Award
- 1998年：C&C奖
- 1998年：British Rank Prize
- 2000年：本田奖
- 2000年：Carl Zeis Research Award
- 2001年：朝日奖
- 2002年：武田奖（与赤崎勇、天野浩）
- 2002年：富兰克林奖章
- 2006年9月8日：千禧年科技奖
- 2008年：阿斯图里亚斯亲王奖学术・技术研究部门
- 2008年：香港科技大学名誉博士
- 2009年：哈维奖
- 2011年9月：第63回艾美奖技术开发部门
- 2014年：诺贝尔物理学奖[12]（与赤崎勇、天野浩）
- 2014年：文化勋章·文化功劳者[13]（与天野浩）
- 2015年：查尔斯·斯塔克·德雷珀奖
- 2015年：大洲市荣誉市民[14]
- 2015年：全球能源奖（继吉野彰之后，日本第二人）[15] 为了他发明，商业化和发展节能的白色LED照明技术[16]
- 2015年：全美发明家殿堂（继远藤章之后，日本第二人）
- 2020年：NAS Award for the Industrial Application of Science
- 2021年：Queen Elizabeth Prize for Engineering
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发言
在2014年《日本经济新闻》的专访中，中村解释自己为何入籍美国：
| “ | 要从事这方面研究，没有美国国籍就无法获得军方的预算，同时无法从事与军方相关的研究。因此我取得了公民权。[17] | ” |
| “ | 我认为中村先生带着很大的勇气来主张自己应有的权利。现在他正站在美国的讲台上执教。作为一名日本人，对此我感到很失落。如果日本的年轻人能够跟随开发出了伟大技术的研究人员学习，让其后继有人，那该多好啊！[18] | ” |
2015年5月3日，中村修二在一场与JAXA负责人川口淳一郎的对谈中表示，江崎玲于奈（1973年诺贝尔物理学奖得主）是他“尤其尊敬的人物”。江崎发明了对LED至为重要的超晶格[19]。
参见
参考资料
外部链接
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