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赤崎勇

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赤崎勇
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此条目的本来名称是“赤﨑勇”，因命名常规而未正确显示。

赤崎勇（日语：赤﨑 勇／あかさき いさむ Akasaki Isamu ?，1929年1月30日—2021年4月1日），日本化学工程学家，名古屋大学工学博士。曾任松下电器研究员、名城大学终身教授、名古屋大学特别教授及名誉教授。美国国家工程院外籍院士。IEEE Fellow。紫绶褒章、文化勲章、勋三等旭日中绶章表彰。文化功劳者。

事实速览 赤崎勇赤﨑 勇（あかさき いさむ）, 出生 ...
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赤崎教授于2014年凭借“发明高亮度蓝色发光二极管，带来了节能明亮的白色光源”与天野浩、中村修二共同获得诺贝尔物理学奖[1]，他也是继罗伯特·密立根之后，史上第2位兼有诺贝尔奖暨IEEE爱迪生奖章荣誉的科学家。

2021年4月1日，赤崎勇因肺炎在名古屋一家医院去世[2]。

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早年生活与教育

1929年1月30日，赤崎勇出生于日本鹿儿岛县，幼时曾有躲避美军战机的经历，终身反战。1952年京都大学理学部毕业，1964年获得工学博士（名古屋大学）学位。其后曾服务于神户工业（现电装天）、名古屋大学、松下电器等单位。

研究

在1960年代末，他开始工作于氮化镓（GaN）基蓝光LED。一步一步，他改进的GaN晶体质量和器件结构[3]，在松下研究所东京公司（MRIT）那里，他决定采用有机金属化学气相沉积法作为首选的GaN生长方法。

1986年，赤崎勇以低温沉积（AlN）氮化铝缓冲层技术成功生产高品质的GaN晶体。1989年，他与门生天野浩完成p型GaN的结晶化，首次观测到p型材料的剧烈发光，并以GaN的pn构成完成了蓝色发光二极管。同一时期，赤崎的学生也包括日后的中国知名企业家唐骏[4]。

1990年，赤崎师徒完成室温下紫外线暴露GaN的诱导放射。基于上述的各阶段突破，1992年，他们发明了人类史上第一个高亮度蓝色发光二极管。1995年，进一步完成注入量子多重化电流的GaN/GalnN诱导放射。自此开始，赤崎勇就一直是热门的诺贝尔奖候选人之一[5][6]。在2009年至2014年的名古屋大学官方简介中，赤崎一直与另外4位名大的诺贝尔奖得主（野依、小林、益川、下村）并列。

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名古屋大学赤崎纪念研究馆

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赤﨑记念研究馆

赤崎教授的发明产生了专利，专利被奖励特许权使用费，其中一部分用于建立2006年10月20日开设的“名古屋大学赤崎纪念研究馆”（Nagoya University Akasaki Institute）[7] 。研究馆建有一个展示蓝光LED研究/开发和应用的历史的LED画廊，一个科研合作办公室，一个创新研究实验室，和赤崎教授的顶部六楼的办公室。该研究馆坐落在名古屋大学东山校区合作研究区域的中心。

2014年诺贝尔奖

赤崎勇与天野浩、中村修二于2014年10月7日获得诺贝尔物理学奖。翌日赤崎与江崎玲於奈（1973年诺贝尔物理学奖得主）进行电话会谈，他们讨论了彼此发明的社会影响力，也提到“日本人特有的毅力”是成功的重要原因[8]。

赤崎是首位九州出身的日本人诺贝尔奖得主[9]，亦缔造若干国内纪录，包括首次师徒同时获奖（与天野浩）；获奖年龄第二高（85岁，仅次于南部阳一郎的87岁）；最高龄出席颁奖典礼。

根据诺贝尔奖委员会，有关3人贡献的主要区别是：[10]

  • 赤崎：以低温沉积氮化铝（AIN）缓冲制成高品质GaN
  • 天野：实现pn结GaN
  • 中村：对实用级高效能蓝色LED的一系列成就、贡献（基于InGaN，但官方文件未载）

获奖纪录

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荣衔

著作

  • 電気・電子材料（1985年9月、朝仓书店）
  • III-V族化合物半導体（1994年5月、培风馆）
  • 青色発光デバイスの魅力―広汎な応用分野を開く（1997年4月、工业调查会）
  • III族窒化物半導体（1999年12月、培风馆）

有关纪念

2018年4月，名古屋广小路商店街设置3座手形像，以纪念下村脩、赤崎勇、天野浩3人的功绩。[15]

参见

参考资料

外部链接

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