氮化铝铟镓

氮化铝铟镓（AlGaInN）是以氮化镓为基础的化合物半导体，是氮化镓、氮化铝、氮化铟的混合物，常用磊晶成长的方式制成，像是有机金属化学气相沉积法（MOCVD）、分子束外延（MBE）、脉冲激光沉积（PLD）等方式^{[来源请求]}。此材料用在特别的光电应用中，像是蓝光激光LED及蓝光LED等。透过调整铝、铟、镓的比例，可以调整其能隙等参数。

氮化铝铟镓
性质
化学式	AlxGayInzN（0<x,y,z<1）
若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。

安全性和毒性

有关氮化铝铟镓的毒性目前尚未完全研究。其粉末会刺激皮肤、眼睛和肺部。有关氮化铝铟镓制备原料（像三甲基铟、三甲基镓和氨）的环境、健康及安全（英语：environment, health and safety）议题以及标准有机金属化学气相沉积法来源的工业卫生监控，目前已有文献回顾^[1]。

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