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Kryo (CPU)

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Kryo高通设计的或高通基于ARM Cortex-A系列客制的64位ARMv8兼容中央处理单元系列,用于其自家的骁龙产品线,接替32位ARMv7兼容的Krait处理器单元。

Kryo 200

Kryo CPU核心的首次发表是2015年9月公布的骁龙820系统芯片,型号Kryo 200,[1]采用三星电子的14纳米FinFET制程。Kryo 200可用于big.LITTLE结构上,既可充当LITTLE集群(低主频、小容量缓存),也可充当big集群(高主频、大容量缓存)。在骁龙820的实现上,采用了两个双Kryo 200 CPU核心的集群,一个由两颗低主频(1.36/1.6 GHz)和小容量L2缓存(512 KiB)组成的LITTLE集群,和一个由两颗高主频(1.8/2.15 GHz)和大容量L2缓存(1 MiB)组成的big集群,以HMP方式运作。高通最初在骁龙61x系列和骁龙808/810上使用类似的设计(也是高通第一次使用big.LITTLE设计),不过当时由于制程工艺问题导致骁龙61x系列的性能表现不良。Kryo 200的设计方式与Karit的类似,不过支持的功能更多。[2][3]

  • 64位ARMv8-A兼容
  • 五个指令解码端,超标量流水线设计,乱序执行
  • 32 KiB资料 + 32 KiB指令一级缓存
  • 512 KiB 或 1 MiB二级缓存,前者用于LITTLE集群,后者用于big集群
  • 性能:6.3 DMIPS/MHz
  • TrustZone安全扩展支持
  • 硬件虚拟化支持
  • 适用于big集群或LITTLE集群,2+2布局
  • 主频1.36~2.25GHz
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Kryo 280

Kryo 280与骁龙835 SoC一同于2016年11月发表,主打高阶移动设备市场。[4]

与高通根据ARM指令集架构授权而自行设计的ARMv8兼容的Kryo不同,Kryo 280是高通基于ARM新的IP核半客制授权协议下修改Cortex-A73的产物。[5]Kryo 280相比Kryo有更好的整数运算性能,更适合一般应用场合,但是相对的,Kryo 280的浮点运算性能则是不如Kryo。搭载Kryo 280的骁龙835采用与一般ARM big.LITTLE的HMP设计,4颗低耗电CPU核心和4颗高性能CPU核心的配置,使用三星电子的10纳米FinFET制程。[6]

  • 推测基于Cortex-A73、Cortex-A53客制而来,分别作高性能版本及低耗电版本[7]
  • 更佳的整数运算性能及缓存性能,高性能集群具备2MiB二级缓存,低耗电集群也具备1MiB二级缓存
  • 高性能CPU核心主频可达2.45GHz,低耗电CPU核心也有1.9GHz的主频
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Kryo 260

Kryo 260与骁龙660 SoC一同于2017年5月发表,主打主流性能市场。骁龙660采用的是三星电子的14纳米LPP制程。[8]

  • 基于Cortex-A73(高性能版本)、Cortex-A53(低耗电版本)客制而来[9].
  • big.LITTLE兼容,4颗低耗电CPU核心和4颗高性能CPU核心的配置
  • 高性能集群的二级缓存容量为1MiB,低耗电集群的二级缓存1MiB
  • 高性能CPU核心主频可达2.2GHz

Kryo 385

Kryo 385与骁龙845 SoC一同于2017年12月发表。骁龙845是ARM处理器当中首个使用DynamIQ的SoC,采用三星电子的10纳米制程制造。[10]高通称高性能CPU核心比上一代Kryo 280的性能高25~30%,低耗电CPU核心也有15%的性能提升。

  • 基于Cortex-A75Cortex-A55客制而来,前者作为高性能CPU核心“Kryo 385‘Gold’”,后者作为低耗电CPU核心“Kryo 385‘Silver’”
  • DynamIQ兼容,不适用于big.LITTLE。但骁龙845依旧采用了4颗低耗电CPU核心和4颗高性能CPU核心的配置
  • 高性能集群的二级缓存容量为1MiB,低耗电集群的二级缓存512KiB,虽然容量有所减少但带宽更高
  • 所有集群共享容量达2MiB的三级缓存
  • 高性能CPU核心主频可达2.8GHz,低耗电CPU核心主频也达到1.8GHz

其他

  • Kryo还有400、500和600系列

参见

参考资料

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