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採用5奈米FinFET技術節點的半導體製造工藝 来自维基百科,自由的百科全书
5纳米制程是半导体制造制程的一个水準。在半导体器件制造中,《國際器件和系統路線圖》將5納米工藝定義為繼7納米之後MOSFET的又一技術節點。商用5納米製程基於具有FinFET(鰭式場效應晶體管)的多閘極電晶體(MuGFET)技術,還有已得到證明的5納米GAAFET(環繞柵場效應晶體管)技術,但尚未商業化。2020年9月15日,由台積電製造的Apple A14 Bionic成為首個公開發表的5纳米制程晶片[1]。
英特尔最早在2009年的蓝图中规划於2020年推出此制程,[2]而後2019年的藍圖中更新為2023年推出[3]。但在節點改名後已無5nm規劃(最接近為intel 3)。全球最大晶圓代工廠台積電(TSMC)和三星電子皆宣布5納米製程將於2020年進入量產期,並將首先用於生產智能手機晶片[4]。2020年初,三星電子和台積電已經開始5納米製程的有限風險試產,並在2020年底開始批量生產[5][6][7]。2020第一季台積電搶先投產,首款5nm產品為蘋果A14。
後續優化的製程命名為4奈米[8]。2021年11月19日,聯發科發表世界首款採用台積電4nm製程的天璣9000系列晶片[9]。比較高通的8Gen1(三星代工)與8+Gen1(台積電代工)的性能及功耗,可知三星的4奈米製程輸給台積電。
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