Indijum fosfid (InP) je binarni poluprovodnik koji se sastoji od indijuma i fosfora. On ima čeono-centriranu kubnu kristalnu strukturu, identičnu sa GaAs i većinom III-V poluprovodnika.
Kratke činjenice Identifikacija, Svojstva ...
| Indijum(III) fosfid |
|---|
 |
 |
| Drugi nazivi |
Indijum(III) fosfid |
| Identifikacija |
| CAS registarski broj |
22398-80-7 Y |
| PubChem[1][2] |
31170 |
| ChemSpider[3] |
28914 Y |
| Jmol-3D slike |
Slika 1 |
|
|
| Svojstva |
| Molekulska formula |
InP |
| Molarna masa |
145,792 g/mol |
| Agregatno stanje |
crni kubni kristali |
| Gustina |
4,81 g/cm3, čvrst |
| Tačka topljenja |
1062 °C, 1335 K, 1944 °F |
| Rastvorljivost u vodi |
u maloj meri rastvoran u kiselinama[4] |
| Energijska barijera |
1,344 eV (300 K) |
| Elektronska mobilnost |
5400 cm2/(V·s) (300 K) |
| Toplotna provodljivost |
0,68 W/(cm·K) (300 K) |
| Indeks prelamanja (nD) |
3,1 (infracrveni);
3.55 (632.8 nm)[5] |
| Struktura |
| Kristalna rešetka/struktura |
Zink blenda |
| Geometrija molekula |
Tetraedralna |
| Termohemija |
Standardna entalpija stvaranja jedinjenja ΔfHo298 |
-88,7 kJ/mol |
Standardna molarna entropija So298 |
59,8 J/(mol·K) |
| Specifični toplotni kapacitet, C |
45,4 J/(mol·K)[6] |
| Opasnost |
| Podaci o bezbednosti prilikom rukovanja (MSDS) |
External MSDS |
| EU-indeks |
Nije na listi |
| Opasnost u toku rada |
Toksičan, hidrolizuje se do fosfina |
| Srodna jedinjenja |
| Drugi anjoni |
Indijum nitrid
Indilum arsenid
Indilum antimonid |
| Drugi katjoni |
Aluminilum fosfid
Galijum fosfid |
| Srodna jedinjenja |
Indijum galijum fosfid
Aluminijum galijum indijum fosfid
Galijum indijum arsenid antimonid fosfid |
|
Y (šta je ovo?)
(verifikuj)
Ukoliko nije drugačije napomenuto, podaci se odnose na standardno stanje (25 °C, 100 kPa) materijala |
| Infobox references |
Zatvori
InP se koristi u elektronici visoke snage i frekvencija zbog njegove superiorne elektronske brzine u odnosu na poluprovodnike u široj upotrebi poput silicijuma i galijum arsenida. On takođe poseduje direktnu zabranjenu zonu, što ga čini podesnim za optoelektronske uređaje kao što su laserske diode. InP se isto tako koristi kao zamena za epitaksijalni indijum galijum arsenid bazirane opto-elektronske uređaje.
