Indijum(III) fosfid

Indijum fosfid (InP) je binarni poluprovodnik koji se sastoji od indijuma i fosfora. On ima čeono-centriranu kubnu kristalnu strukturu, identičnu sa GaAs i većinom III-V poluprovodnika.

Indijum(III) fosfid
Drugi nazivi	Indijum(III) fosfid
Identifikacija
CAS registarski broj	22398-80-7 Y
PubChem[1][2]	31170
ChemSpider[3]	28914 Y
Jmol-3D slike	Slika 1
Svojstva
Molekulska formula	InP
Molarna masa	145,792 g/mol
Agregatno stanje	crni kubni kristali
Gustina	4,81 g/cm3, čvrst
Tačka topljenja	1062 °C, 1335 K, 1944 °F
Rastvorljivost u vodi	u maloj meri rastvoran u kiselinama[4]
Energijska barijera	1,344 eV (300 K)
Elektronska mobilnost	5400 cm2/(V·s) (300 K)
Toplotna provodljivost	0,68 W/(cm·K) (300 K)
Indeks prelamanja (nD)	3,1 (infracrveni); 3.55 (632.8 nm)[5]
Struktura
Kristalna rešetka/struktura	Zink blenda
Geometrija molekula	Tetraedralna
Termohemija
Standardna entalpija stvaranja jedinjenja ΔfHo298	-88,7 kJ/mol
Standardna molarna entropija So298	59,8 J/(mol·K)
Specifični toplotni kapacitet, C	45,4 J/(mol·K)[6]
Opasnost
Podaci o bezbednosti prilikom rukovanja (MSDS)	External MSDS
EU-indeks	Nije na listi
Opasnost u toku rada	Toksičan, hidrolizuje se do fosfina
Srodna jedinjenja
Drugi anjoni	Indijum nitrid Indilum arsenid Indilum antimonid
Drugi katjoni	Aluminilum fosfid Galijum fosfid
Srodna jedinjenja	Indijum galijum fosfid Aluminijum galijum indijum fosfid Galijum indijum arsenid antimonid fosfid
Y (šta je ovo?)   (verifikuj) Ukoliko nije drugačije napomenuto, podaci se odnose na standardno stanje (25 °C, 100 kPa) materijala
Infobox references

InP se koristi u elektronici visoke snage i frekvencija zbog njegove superiorne elektronske brzine u odnosu na poluprovodnike u široj upotrebi poput silicijuma i galijum arsenida. On takođe poseduje direktnu zabranjenu zonu, što ga čini podesnim za optoelektronske uređaje kao što su laserske diode. InP se isto tako koristi kao zamena za epitaksijalni indijum galijum arsenid bazirane opto-elektronske uređaje.